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受產能排擠影響 DRAM價格大幅上揚
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2006年04月19日 星期三

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受到DRAM廠的DDR及DDR2產能調配,以及DRAM大廠的DRAM及NAND快閃記憶體的產能排擠等因素影響,四月以來DRAM現貨價格明顯向上拉高,其中又以DDR價格上漲動力最強,有效測試(eTT)256Mb DDR十八日單日就大漲逾5%收2.35美元。

不過NAND快閃記憶體價格卻持續疲弱,不僅現貨價全面走跌,四月合約價更出現重挫35%以上的崩跌現象。集邦科技表示,DRAM在供給不足市況中,價格仍會漲,NAND則是供給過剩,價格未見止跌跡象。

雖然第二季是傳統個人電腦市場淡季,但是DRAM價格走勢卻是異常強勁,除了英特爾出清舊款865晶片組庫存,刺激DDR市場需求成長外,DRAM廠第一季大量將DDR產能轉向生產DDR2,已在近期造成DDR供給量嚴重吃緊,所以256Mb DDR近二週內漲勢強勁,現貨價已拉高至2.3美元以上,現貨價與合約價間也形成代表景氣多頭的黃金交叉。

未來主流的DDR2,近期來自OEM電腦大廠的需求強勁,但現貨市場的需求卻還未被刺激出來。南亞科技副總經理白培霖說,OEM電腦大廠已大量採用英特爾支援DDR2的新晶片平台,對DDR2的需求量會愈來愈大,但對價格敏感的現貨市場,則要等到中低價位的超微支援DDR2的AM2平台上市後,市場需求才會轉強。由於國內外DRAM廠今年的位元成長率遠低於歷史平均水準,DDR2合約價未來大漲機率很高。

相較於DRAM熱絡市況,NAND快閃記憶體市場卻還身陷價格崩跌的陰霾中。根據集邦科技統計,四月份主流容量的2Gb、4Gb、8Gb NAND快閃記憶體合約價,較三月份大跌逾35%,且合約價平均來看均低於現貨價,出現約二成的價差空間。雖然近來現貨價有持穩跡象,不過在合約價開低後,合約客戶在現貨市場套利的機率大增,現貨價看來還有下跌空間。

集邦科技表示,NAND快閃記憶體合約價大跌,主因在於供應商三星、東芝、Hynix等的90奈米及70奈米良率大幅拉高,導致出貨量在近幾週內大量湧現,供給過剩的激烈競爭,自然會造成價格出現崩跌。

不過隨著日本四月底的黃金週假期、大陸五一長假等假期將至,預計會帶動MP3播放機、數位相機等消費性電子產品銷售量,也會刺激出NAND龐大需求,所以NAND現貨市場交易量能已經開始放大,整個市場景氣應可在第二季築底。

關鍵字: DRAM  集邦科技  動態隨機存取記憶體  快閃記憶體 
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