JANS 認證代表分離式半導體產品在航太、國防與太空飛行應用中所需的最高篩選與驗收等級，確保卓越的效能、品質與可靠性。Microchip Technology今日宣布，其抗輻射強化型功率 MOSFET 系列已完整符合 MIL-PRF-19500/746 的子規範要求，並且其 JANSF2N8587U3 100V N 通道 MOSFET 通過 300 Krad (Si) 總電離劑量的 JANSF 認證。

專為極端環境設計，抗輻射 MOSFET 現已供 100 Krad 至 300 Krad 的總電離劑量等級選擇

Microchip 的 JANS 系列抗輻射功率元件涵蓋 100–250V 電壓範圍，並支援 100 Krad (Si) TID。此系列現已擴展至更高等級的輻射防護能力（Radiation Hardness Assurance, RHA），率先推出的為支援 300 Krad (Si) TID 的 JANSF2N7587U3。該系列的 RH MOSFET 晶粒提供多種封裝選項，包括使用通過 MIL 認證的 JANSR 晶粒之塑膠封裝，為新太空及低地球軌道應用提供具成本效益的解決方案；而陶瓷封裝則採用氣密封裝設計，適用於總劑量與單一事件效應（SEE）等輻射環境。

這些元件依據 MIL-PRF-19500/746 標準設計，並進一步強化效能，特別適用於對元件可靠性要求極高、需耐受太空惡劣環境的應用，同時有助於提升電源電路的整體穩定性與壽命。

Microchip 分離式元件產品事業群企業副總裁 Leon Gross 表示：「要達成抗輻射 MOSFET 所需的嚴苛規範極具挑戰性，Microchip 能憑藉專有的抗輻射設計流程與技術成功達標，我們感到非常振奮。我們的先進技術為航太與國防客戶提供高可靠性且具成本效益的解決方案，以因應市場與應用日益增長的需求。」

JANSF 與 JANSR 等級的抗輻射功率 MOSFET 適用於電源轉換電路中的主要開關元件，包括點負載轉換器、DC-DC 轉換器、馬達驅動與控制器，以及其他通用開關應用。這些功率 MOSFET 具備低 RDS(ON) 與低總閘極電荷，相較市場上其他產品，能提升能源效率、降低熱損與強化切換效能。

Microchip 提供廣泛的高可靠度解決方案，涵蓋航太與國防領域所需的抗輻射容忍型（RT）與抗輻射強化型（RH）微控制器、現場可程式化閘陣列（FPGA）、以太網路實體層（Ethernet PHY）、電源元件、射頻產品、時序解決方案及涵蓋從裸晶粒到系統模組的分離式元件。此外，Microchip 亦提供多樣化 QPL 認證產品，以更完善地支援客戶需求。欲了解更多資訊，請造訪 Microchip 航太與國防專頁。