帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
半導體『0.5D』的距離有多遠?
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2012年09月25日 星期二

瀏覽人次:【5889】

近期看到FPGA大廠陸續推出3D系統晶片,令人想起幾前年半導體產業開始積極推展的3D晶片,似乎經過幾年的醞釀,目前開始看到該技術的開花結果。只不過,Altera台灣區總經理陳英仁指出,這些其實都是屬於2.5D的製程,不是真正3D的技術範疇。3D製程的技術含量更深,目前仍是個很大的挑戰。

3D晶片要真正商用化,現在仍太早。
3D晶片要真正商用化,現在仍太早。

陳英仁說,目前FPGA大廠所標榜的3D晶片,其實都只是2.5D製程技術,並非真正的3D晶片。目前2.5D技術逐漸成熟,產品也陸續推出市場。然而,從2.5D到3D,這看似短短一步可及的距離,事實上其技術難度卻有如天與地一般遙遠。

2.5D晶片的採用,其實正是3D真正商用化之前的一種替代方案。2.5D晶片其實就是將主動元件放在被動的矽中介層上。矽中介層能平行連接數個矽切片,透過和PCB上不同的IC金屬互連方式,這些矽片能經由該中介層的金屬互連來連接。

3D晶片經過幾年的發展,儘管已經克服許多困難,但3D晶片要真正商用化,坦白說現在仍太早。3D晶片等同於整體晶片設計的革命性突破,這包括從基礎IC設計、晶片封裝到散熱機構等細節。

3D晶片最大的挑戰,最先面臨的就是晶片的連接方式。目前最可行的TSV,是在數個垂直堆疊的晶片上穿孔來連接晶片,但技術尚未成熟,成本也高,良率相對偏低。其次是散熱。當多個主動式晶片堆疊在一起時,每個晶片運作所散發的熱要如何排出就是個大問題。特別是當晶片堆疊在一起時,中間部份幾乎無法散熱。曾有工程師提出3D晶片中,透過風孔排熱的構想,但難以實現。散熱問題不解決,3D晶片便很難跨出下一步。

此外,TSV的穿孔,也會在晶片發熱時產生大問題。晶片遇熱膨脹後,應力會影響週邊的電晶體性能,這是TSV發展過程中最難解決的部分。專家認為,3D晶片要走到成熟的階段,估計還要至少3年以上。看來,這短短0.5D的路,半導體產業還得走上很久。

關鍵字: 3D IC 
相關新聞
【東西講座】3D IC設計的入門課!
歐姆龍X射線自動檢查平台 有效解決晶片檢查量產化和自動化挑戰
Ansys攜手台積電與微軟 共同提升3D IC可靠度模擬
Ansys半導體模擬工具通過聯電3D-IC技術認證
Ansys熱完整性和電源完整性方案通過三星異質晶片封裝認證
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B5C361CGSTACUKG
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw