旺宏電子今日（6/24）發表最新的3D NAND Flash研究成果，其總經理盧志遠表示，這顆3D IC與一般討論的Sip、TSV技術不同，但是能夠大幅降低Bit Cost。未來若能步入量產，可以解決高容量記憶體成本高昂的問題，最高目標希望能與硬碟並駕齊驅，甚至超越硬碟。

旺宏電子總經理盧志遠對於最新的3D NAND Flash技術感到相當興奮。 BigPic:350x234

根據ITRS評估，3D IC是讓NAND Flash可以持續維持微縮，並且讓記憶體內電子數目保持在100顆以上的方案。Toshiba在2007年提出的BiCS技術，由於可讓減低光罩製程的支出成本，讓業界為之一驚紛紛跟進，今日旺宏電子所發表的新技術，即是由此衍伸進化而來。

盧志遠認為，Floating Gate Flash技術雖然勉強延續到今日，但其實在30奈米階段，就已經面臨瓶頸。尤其在行動裝置需求甚殷，3D IC需求漸長的狀況下，FG在進入3D IC領域時遇到了很大的問題。由於FG不像SONOS一般本身就是絕緣體，可兼任電荷的儲存場所，故必須處處絕緣，以防止電荷到處流動。所以，盧志遠表示，FG在3D IC領域無法克服的困難，至多發展至10奈米，便會邁向衰敗，此時此刻正是3D VG NAND切入的機會點。

旺宏電子今日宣佈之技術在解碼方面進行創新，採取三平面相交一點，以決定記憶體的位置。此外，並在Toshiba的基礎上，以BE-SONO為元件，在電性表現上更優異。目前於相同領域進行研發的除了旺宏電子，還有Samsung。盧志遠說，旺宏的技術特點在於採用垂直閘極架構，讓電流以水平方式流動，以避免一般3D IC鄰近垂直記憶體間彼此干擾的問題。也因此，採此技術製造的記憶體可以在厚度變薄的情況下增加層數，提高記憶體的密度。