美光科技今日宣布首款176層3D NAND快閃記憶體已正式出貨，實現前所未有的儲存容量和效能。美光最新的176層技術及先進架構為一重大突破，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。

美光的176層NAND層數比最接近的競爭對手高出近40%，讀取和寫入延遲更改善超過35%。

美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer指出：「美光的176層NAND為業界樹立了新標竿。此層數比最接近我們的競爭對手高出近40%。結合美光的CuA（CMOS-under-array）架構，該技術使美光得以維持在產業中的成本領先優勢。」

美光的176層NAND是美光第五代3D NAND以及第二代替換閘（Replacement Gate）架構，為技術最先進的NAND節點。與上一代高容量3D NAND相比，美光176層NAND的讀取和寫入延遲改善超過35%，大幅提高應用的效能。加上其設計精巧，採用比同業最佳競品還要小30%的晶粒，能最佳實現小尺寸解決方案。

美光執行副總裁暨業務長Sumit Sadana指出：「美光的176層NAND有助客戶實現突破性的產品創新。我們正廣泛地將這項技術使用在所有可能採用NAND的產品線中，並為使用NAND的所有領域帶來新價值，尤其是5G、人工智慧、雲端及智慧邊緣運算的成長機會。」

美光176層NAND具備通用的設計和領先的儲存容量，是眾多應用領域中不可或缺的重要元件，包括手機儲存、自動駕駛系統、車載資訊娛樂系統以及客戶端和資料中心固態硬碟（SSD）。

此外，美光提供了更好的服務品質（QoS)，使其176層NAND成為資料中心SSD的關鍵設計標準，它可以加速資料密集環境和工作負載，例如資料湖、人工智慧引擎以及大數據分析；還能使5G智慧型手機更快在多個應用程式之間進行載入和轉換，創造更流暢且快速的手機使用體驗，實現真正的多工作業，充分利用5G低延遲網路。

美光第五代3D NAND的ONFI（Open NAND Flash Interface）匯流排，提供最高的資料傳輸率1,600MT/s，提升了33%。ONFI的速度提升可加快系統啟動並強化應用效能。在汽車應用中，此速度將在引擎啟動後立即為車載系統提供接近即時的回應時間，有助於加強使用者體驗。

美光正與業界開發商展開合作，以迅速將新產品整合至解決方案中。為簡化韌體研發，美光的176層NAND採用一次寫入演算法（One-Pass Program），使整合更容易並加快上市時間。

隨著摩爾定律放緩，美光在3D NAND的創新對確保業界跟上不斷增加的資料需求至關重要。為了實現此里程碑，美光獨家結合其堆疊式替換閘架構、嶄新的電荷捕捉儲存方式以及CuA（CMOS-under-array）技術。

美光3D NAND專家團隊亦利用公司的CuA專利技術取得飛快的進展，在晶片邏輯上建造多層次堆疊，使更多記憶體能夠裝入更緊密的空間，並大幅度地縮小了176層NAND的晶粒尺寸，從而使每個晶圓達到更高的GB。

同時，美光透過將其NAND單元技術從傳統的浮閘式轉變為電荷捕捉式，改善未來NAND的可擴充性以及效能。此電荷捕捉技術結合美光的替換閘架構，並利用高導電性金屬字元線（word line）代替矽層以實現無與倫比的3D NAND效能。美光採用此技術也使公司得以有效地領先業界降低生產成本。

美光透過採用這些先進技術來改善耐用性，對航空業的黑盒子和影像監控錄影等密集寫入的使用案例特別有益。在手機儲存方面，176層NAND的替換閘架構可使混合工作負載效能提高15%，以支援超快速邊緣運算、強化AI推論以及高畫質且即時的多人遊戲。

美光176層三層單元3D NAND已於美光新加坡晶圓廠量產，並透過Crucial消費型SSD產品系列向客戶出貨。美光預計於2021年推出採用此技術的其他新產品。