鎧俠公司 (Kioxia ) 和Western Digital 公司宣布最新 3D 快閃記憶體技術資訊，展示持續創新。該 3D 快閃記憶體採用先進的縮放和晶圓鍵合技術，提供卓越的容量、性能和可靠性，適合滿足廣泛市場領域呈指數級增長的資料需求。

Western Digital 技術與戰略資深副總裁 Alper Ilkbahar 表示：「新的 3D 快閃記憶體展示了我們與 Kioxia 強有力的合作夥伴關係以及我們共同的創新領導地位所帶來的好處。通過使用一個共同的研發路線圖和對研發的持續投資，我們已經能夠提前將這一基礎技術產品化，並提供高性能、資本高效的解決方案。」

鎧俠和 Western Digital 通過引入幾種獨特的流程和架構來降低成本，從而實現持續的橫向擴展進步。垂直和橫向縮放之間的這種平衡，以優化的成本在層數更少的更小芯片中產生更大的容量。兩家公司還開發了開創性的 CBA（CMOS 直接鍵合到陣列）技術，其中每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓都在其優化條件下單獨製造，然後粘合在一起以提供更高的位密度和更快的 NAND I/O 速度。

「通過我們獨特的工程合作夥伴關係，我們成功推出了具有業界最高1位密度 的第八代 BiCS FLASH，」鎧俠公司技術長 Masaki Momodomi 表示：「Kioxia已開始為有限客戶提供樣品。通過應用 CBA 技術和擴展創新，我們改進了3D 快閃記憶體技術組合，用於一系列以數據為中心的應用，包括智慧型手機、物聯網設備和資料中心。」

218 層 3D 快閃記憶體利用具有四個平面的 1Tb 三級單元（TLC）和四級單元（QLC），並採用創新的橫向收縮技術，可將位密度提高 50% 以上。其超過 3.2Gb/s 的高速 NAND I/O，比上一代產品提高了 60%，加上寫入性能和讀取延遲提高了 20%，將為用戶提高整功能和可用性。