根據外媒報導，英國布里斯托大學（University of Bristol）的研究團隊成功開發出「超晶格櫛形場效電晶體」（Superlattice Castellated Field Effect Transistors, SLCFETs），透過創新的氮化鎵（GaN）材料中的「閂鎖效應」（latch effect），大幅提升了電晶體的運行速度與功率效率，為下一代6G通訊提供更好的運行基礎，也為自動駕駛、遠端醫療、沉浸式虛擬實境等應用帶來了新的設計思維。

該團隊透過採用嶄新架構，顯著提升了GaN放大器的性能。此項突破的核心在於發現並巧妙利用了GaN材料中的「閂鎖效應」，進而大幅優化了射頻設備的表現。這類新一代設備採用多通道並行設計，需要尺寸小於100奈米的微細鰭片（sub-100nm side fins）來精確控制電流流動。

研究共同主要作者Akhil Shaji博士解釋，其與合作夥伴共同開發了一種名為SLCFETs的裝置技術。該技術利用超過1000個寬度小於100奈米的鰭片來驅動電流。儘管SLCFETs在W波段頻率範圍（75至110 GHz）內展現了卓越性能，正是GaN中的閂鎖效應促成了如此高性能的射頻表現。」

為精確定位並深入理解這一效應，研究人員同時運用超精密電氣測量與光學顯微鏡技術。經過對超過1,000個鰭片的分析，最終確認該效應主要發生在最寬的鰭片上。