聯華電子（UMC）推出55奈米Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）平台，以滿足次世代行動裝置、消費電子、汽車及工業應用對高效能與低功耗電源管理晶片的需求。該平台整合類比、數位與電源功能於單一晶片上，可實現更小晶片面積、更低功耗與更佳抗雜訊表現，大幅提升電源電路設計的靈活性與可靠性。

聯電推出55奈米BCD平台

BCD技術因能同時整合高壓與低壓元件，廣泛應用於電源管理與混合訊號IC。聯電此次推出的55奈米BCD平台，針對多元應用提供完整製程選項：非外延（Non-EPI）製程具成本效益的架構設計，兼顧行動與消費電子產品的高效能與類比特性；外延（EPI）製程符合AEC-Q100 Grade 0最嚴苛車規標準，可支援高達150V的操作電壓，確保汽車電子在極端環境下仍具高可靠性；絕緣矽（SOI）製程適用於高階車用與工業領域，符合AEC-Q100 Grade 1標準，具備優異的抗雜訊能力、高速特性與低漏電表現。

此外，該平台整合了超厚金屬（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）與電阻式隨機存取記憶體（RRAM）技術，進一步提升電源IC的效能與功能多樣性。

目前，聯電已建立BCD製程組合，涵蓋從0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.11μm至55奈米的多節點技術。