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BREWER SCIENCE:超薄晶圓挑戰巨大 過程需保持其完整性
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2019年10月07日 星期一

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在超薄晶圓打薄的過程中,將面對的主要挑戰有以下幾點。首先是引起應力的廣泛性熱循環、熱膨脹係數(CTE)失配、機械研磨、金屬沉積過程等;再來是物品的化學抗性,包括光刻用溶液、金屬蝕刻化學品、一般清洗溶劑等。而物品的化學相容性則需注意包括金屬、EMC、聚醯亞胺等。

薄晶圓必須和臨時解鍵合材料鍵合以保持完整性,同時保證解鍵合過程不會太長或太難。
薄晶圓必須和臨時解鍵合材料鍵合以保持完整性,同時保證解鍵合過程不會太長或太難。

鐳射解鍵合是最先進的解鍵合技術之一,然而在過程中也會產生許多問題。接合材料可提供適當的黏著性,可接合並同時支撐兩個基材,以利晶圓堆供下游處理,而且保持與雷射剝離材料交互作用的能力,以便加工後在需要時選擇性剝離。玻璃載體上的晶圓塗有雷射剝離材料,該雷射剝離材料的光學密度可將雷射輻射限制在載體表面附近,進而防止雷射能量接觸元件晶圓。結合兩種精心設計的材料,可提供大幅減少晶圓彎曲的機械穩定性以及熱穩定性,因此能以背面製程進一步支撐晶圓堆。

BREWER SCIENCE指出,在先進封裝制程中,大部分晶圓應用皆可利用機械或雷射剝離技術;若為面板級製程(PLP),雷射剝離則是首選剝離技術。機械和雷射剝離兩種方法都有在室溫進行(相對於在高溫進行以軟化接合材料的熱滑動剝離)、為低應力技術,以及在剝離期間能夠支撐薄化元件晶圓/面板支撐等優點,在移除載體基材後可增加機械完整性。相較於機械剝離的每小時 20 個晶圓,雷射剝離的每小時 50 個晶圓具有較高生產能力。當元件基材剝離後,將需要清洗。可用的選項包括化學清潔,電漿清潔或剝離程序。

在整個過程中,薄晶圓必須和臨時解鍵合材料鍵合以保持完整性,同時保證解鍵合過程不會太長或太難,然而過程中有些要求必須被滿足。基本上,與機械或雷射剝離一起使用時,剝離材料有助於加速剝離過程。臨時接合技術的最終目標,是在下游製程完成時,從支持載體選擇性剝離。BREWER SCIENCE的剝離材料專為搭配接合材料運作,以在處理晶圓時提供機械和熱支持,並使晶圓堆在正確的介面處剝離。

關鍵字: BREWER SCIENCE 
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