帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
中國發改委與三星傳將簽MOU,將壓抑DRAM漲幅
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年02月04日 星期日

瀏覽人次:【3272】

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,由於記憶體價格延續呈現超過6個季度的上漲,造成數家中國智慧型手機品牌廠不堪成本壓力,因此在去年年底,中國發改委員會正式對三星半導體表達不滿,進一步造成第一季行動式記憶體的漲幅有所收斂。近日也傳出韓國政府偕同三星電子將可能在近期與中國發改委簽署備忘錄,內容將涵蓋在半導體領域的相關合作,其中包含擴大在中國投資以及技術合作的可能性。

由於中國地區在近年內是記憶體產出的最大出海口,不管是國內需求或是外銷,透過中國所購買的記憶體比重持續增加,因此,對於中國市場的抗議,三星必須給予尊重及反應。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出,此次事件將可能對未來記憶體產業產生以下兩種影響:

一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態,但未來漲幅將受抑制

就DRAM領域來看,目前供應商在生產行動式記憶體的獲利遠低於其他產品別,而受到第一季智慧型手機的低迷需求影響,再加上中國發改委的動作,預期未來價格漲幅將更受抑制。

展望未來,供應商預期會持續將現有的產能從行動式記憶體轉向更高毛利產品,造成其他產品別的價格漲幅也進一步收斂。

二、供應商為避免價格漲幅過高,新增產能的可能性增加

其次,在NAND Flash領域,2018年由於3D NAND Flash的比重持續提高,因此供貨吃緊的狀態較去年大幅改善。然而,觀察DRAM供給,由於目前並未有新增產能貢獻位元產出,造成2018年仍屬供不應求狀態。

DRAMeXchange分析,為因應中國官方代表本土企業對於記憶體價格持續上漲所表達的強烈不滿,對供應商而言,在漲價受到抑制、成本下降不易的考量下,新增產能的可能性與時程皆可能轉趨積極,透過增加產能來貢獻位元產出不僅可以維持價格穩定,也希望藉此維持該企業在DRAM產品的絕對獲利。

關鍵字: DRAM  trendforce 
相關新聞
TrendForce:台灣強震過後 半導體、面板業尚未見重大災損
日本強震對半導體業影響可控 惟曝露供應鏈風險
2023年新能源車統計出爐 中國大陸出口及占比居首
台灣美光台中四廠正式啟用 將量產HBM3E及其他產品
美光發布記憶體擴充模組 加速CXL 2.0應用
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 以協助因應AI永無止盡的能源需求為使命
» 低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力
» P通道功率MOSFET及其應用
» 運用能量產率模型 突破太陽能預測極限
» 新一代4D成像雷達實現高性能


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.219.236.62
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw