茂德科技首批以90奈米堆疊式（stacked）製程技術投產的512Mb DDR12吋晶圓，已於本月八日正式產出，平均良率均超過60％以上，顯示中科12吋廠現有生產線已具量產能力。由於中科12吋廠建置速度較預期中快，因此茂德也決定，明年首季月產能將拉高至1萬5000片，明年下半年就可達3萬片規模。

茂德與Hynix去年初就開始洽談合作事宜，延宕近一年時間後，今年初終於正式簽訂DRAM技轉及代工合約，Hynix將移轉90奈米堆疊式製程予茂德，茂德則以中科12吋廠為基地，為Hynix代工標準型DRAM產品。而茂德中科12吋廠經歷不到十四個月時間，本月八日終於正式產出第一批具良率的90奈米12吋DRAM晶圓，這是繼華亞科技採用90奈米投產DRAM以來，國內第二家跨入奈米製程並順利投產DRAM的業者。