默克宣布將在日本靜岡廠區投資逾7,000萬歐元，興建一個先進材料開發中心，預計此項目將於2026年投入營運。此次投資總額超過1.2億歐元。新建的先進材料開發中心將以靜岡現有的圖形化製程卓越中心為基礎，專注於開發與製程需求相符、符合環境標準的創新材料。

默克在日本靜岡建設先進材料開發中心

默克的目標是通過擴建設施，整合關鍵研發能力，推動材料科技的創新，並提升運營效率，滿足不斷變化的市場需求。該中心佔地5,500平方公尺，配備了最先進的無塵室和實驗室設施，並設計為具高擴展性的結構，為未來擴增產能做好準備。

先進材料開發中心的成立，突顯了默克對晶片技術推進與永續創新的承諾。該中心將專注於開發極紫外光（EUV）材料與定向自組技術（DSA），這些技術不僅能應對環境挑戰，還將支持下一代應用，如人工智慧（AI）晶片及先進製程。這些技術對於半導體產業未來的發展至關重要，特別是在AI、5G等領域的應用中。

日本擁有世界領先的材料科學技術，特別是在半導體生產所需的高純度、高品質的化學材料方面。日本製造的材料，如光刻膏（photoresist）、化學氣相沉積（CVD）材料、?刻劑以及晶圓處理所需的各類化學品，都是半導體生產中的核心原材料。這些材料對於微米、甚至納米級製程至關重要，任何微小的缺陷都可能導致整個晶片的製作失敗，因此材料的質量必須非常高。

此外，日本在半導體製程材料方面的創新不斷推動著行業的進步。例如，極紫外光（EUV）技術所需的高端光刻材料，正是日本企業在材料科學領域的突破成果。EUV技術是推動下一代製程技術的關鍵，而日本的化學公司在這一領域的領先地位，使得日本在全球半導體供應鏈中扮演著無可替代的角色。

新建的先進材料開發中心將專注於開發符合當前及未來半導體製程需求的創新材料，特別是在圖形化製程（patterning）領域。圖形化製程對材料的精度與性能要求極高。透過這項投資，默克不僅加強了在極紫外光（EUV）光刻材料等前沿技術的研發能力，還能推動更精細、更高效的製程材料解決方案，助力半導體製造技術邁向下一個層次。