英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓因晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加2.3倍，能夠顯著提高效率。

英飛凌 CEO Jochen Hanebeck 手持全球首批12吋GaN 功率晶圓，該晶圓是在現有的大批量且可擴展的生產環境中所製造。圖二的12吋晶圓因直徑擴大，每片晶圓上的晶片數量大增，使得生產效率顯著提高。

在工業、汽車、消費、運算和通訊應用中，基於GaN的功率半導體正快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。先進的GaN製程能夠提高元件性能，為終端客戶的應用帶來更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的整體成本。此外，憑藉著可擴展性，12吋製程在客戶供貨方面具有極高的穩定性。

英飛凌執行長Jochen Hanebeck表示，作為電源系統領域的領導者，英飛凌充分掌握了全部三種相關材料：矽、碳化矽和氮化鎵。英飛凌已成功在其奧地利菲拉赫（Villach）功率晶圓廠中，利用現有12吋矽生產設備的整合試產線，製造出12吋GaN晶圓。英飛凌將根據市場需求進一步擴大GaN產能。憑藉12吋 GaN製程技術，英飛凌將推動GaN市場的不斷增長。據估計，至2030年末，GaN市場規模將達到數十億美元。

這一開創性的技術成就彰顯英飛凌在全球電源系統和物聯網半導體領域的領導者地位。英飛凌透過佈局12吋 GaN製程技術，打造更具成本效益價值，能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以強化現有的，並實現新的解決方案及應用領域。英飛凌將在2024年11月舉行的慕尼黑電子展（electronica）上向大眾展示首批12吋 GaN晶圓。

由於GaN和矽的製程相似，因此12吋GaN技術的一大優勢是可以利用現有的12吋矽製造設備。英飛凌現有的大批量12吋矽生產線適用於試產可靠的GaN技術，既加快實現的速度，也有效地利用資本。12吋GaN的全規模化生產將有助於實現GaN與矽的成本在同一R_DS(on) 級別能夠接近，這意味著同級矽和GaN產品的成本將能夠持平。12吋GaN製程技術是英飛凌戰略創新領導地位的又一里程碑，亦支援英飛凌推動低碳化和數位化的企業使命。