Soitec Group與SEZ Group日前宣佈，雙方已著手計畫推動聯合開發計畫(JDP)，藉以加快新一代應變絕緣矽（sSOI）基板的商業化時程。在聯合開發計畫中，兩家公司將運用Soitec在工程基板的技術，以及SEZ在單晶圓、溼式處理技術之領先優勢，開發新型溼式蝕刻製程，提高在sSOI製程中去除鍺元素的作業效率。

多位公司主管一致指出，有效徹底去除鍺成份是sSOI製程中的關鍵步驟，因為矽鍺（SiGe）是用來產生矽元件層的必要應力，而這對於sSOI的運作來說相當重要。結合應變矽元件層與SOI基板的力量，使晶片製造商能發揮sSOI基板帶來無與倫比之效能，與功率消耗方面的優勢。單晶圓處理是一項極具發展前景的解決方案，協助業者能選擇性地控制鍺蝕刻製程—僅去除特定的材料，且不會破壞到底部的材料層。

Soitec技術長Carlos Mazuré表示：『此項合作案是Soitec整體策略的另一個里程碑，其目標為構築產業架構，以確保新世代的sSOI基板能邁入量產與商業化階段。SEZ的單晶圓技術提供客戶多方面優點，選擇性的SiGe蝕刻技術能協助業者更有效率地去除鍺材料。同時，Soitec與SEZ亦將共同合作以提升品質、晶圓產出率及降低成本，建立一個可重複的生產作業流程，並可用來製造其他複雜材料。』

SEZ製程開發部門協理Gerald Wagner博士表示：『一直以來，SEZ不斷持續研究開發各種新材料與製程解決方案。此次，我們很高興能與Soitec這樣的業界領導者合作，透過這項合作，我們能更進一步運用雙方在sSOI與其他先進基板的專業技術。我們計畫將結合Soitec的Smart Cut™技術及我們在單晶圓與溼式蝕刻方面的科技，共同開發一項新的製程應用，提供在量產sSOI基板上關鍵性角色。』