中國在記憶體領域正在悄然發動一場變革。據報導，部分中國記憶體製造商正積極推進 DDR5 在AI加速器中的應用，並期望以 DDR5 替代傳統由HBM主導的市場。

中國正嘗試以DDR5替代傳統由HBM主導的AI記憶體市場

在傳統架構中，HBM 由於其極高的記憶體頻寬與低功耗特性，一直是大型 AI 推理與訓練加速器的首選。然而，中國現在看似在轉向 DDR5，並企圖將其置於 AI 晶片記憶體的新位置。據了解，中國對韓國記憶體的出口依賴仍在增加，顯示其對外採購仍占一席之地，但國內技術追趕的力度亦不容小覷。

這一動向的背後，有幾項值得分析的關鍵因素。首先，HBM 的供應鏈被少數廠商主導，且其製造設備與封裝技術門檻極高，對中國受限於出口管制的環境造成了不小壓力。此外，由於 AI 模型持續增大、記憶體頻寬需求攀升，中國內部希望提升自主可控性、降低對外依賴，推動 DDR5 作為替代選項即成為策略之一。

其次，從成本與製造角度來看，DDR5 相對於 HBM 雖然在頻寬與功耗方面仍有差距，但其製造設備門檻、製程成熟度皆優於 HBM。對於希望快速建立產能、填補國內市場需求的中國廠商來說，DDR5 是一條「可行但非最理想」的路徑。此外，中國有報導指出其 DDR5 良率已達一定水準，這為這條替代之路增加了可行性。

從產業與市場意義來看，這意味著全球高頻記憶體市場可能正迎來「超越?HBM?以外」的技術競爭潮流。若 DDR5 在 AI 應用中成功搶占一席，則 HBM 的絕對優勢可能被弱化，記憶體需求格局也將出現變化。再者，中國若成功降低對韓國與其他成熟記憶體供應商的依賴，將改寫亞洲記憶體供應鏈的地理分布與競爭態勢。

不過仍須注意幾個風險面。儘管 DDR5 在短期內可做替代，但從效能、頻寬、功耗效率上仍無法完全匹敵 HBM 的高端應用。且中國若要脫離對外採購、達到真正自主化，其在先進封裝、TSV堆疊、3D組裝等技術上仍面臨挑戰。因此，這條「DDR5替代 HBM」路線雖有潛力，但仍具有較長的技術追趕期。