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聯電與聯邦半導體合作跨足MRAM領域
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2001年05月09日 星期三

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聯電為增加進入單晶片系統組(SOC)領域勝算,近期規劃與聯邦半導體結盟,共同跨足磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)研發生產,以取得未來SOC核心記憶體領先地位,超越IBM、摩托羅拉等領先廠商。聯電董事長宣明智表示,MRAM是很有潛力記憶體產品,聯邦半導體的研究結果,聯電很感興趣,雙方規劃合作投產。

IBM與Infineon今年初宣布策略聯盟,共同跨足MRAM領域,並發表256Kb MRAM產品,預計2003年投產、2004年可達商品化;聯電與IBM等外商有製程協定,為取得MRAM領先技術,規劃與聯邦半導體合作。聯邦半導體是聯邦銀行轉投資的子公司,1Mb MRAM產品已在茂矽量產,第一階段產出約1.5萬片6吋晶圓,近期將辦理增資,有意參與的法人包括和信集團、和通創投及工銀等。

關鍵字: 磁阻式隨機存取記憶體  聯電  聯邦半導體  IBM  Infineon(英飛凌鐵電性隨機存取記憶體 
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