據市調機構IC Insights報告指出，2002～2007年間化合物半導體市場規模年複合平均成長率（CAGR）將達22％，較整體半導體市場規模的10％，高出1倍。

IC Insights指出，像砷化鎵（GaAs）、矽鍺（SiGe）及磷化銦（InP）等化合物半導體，擁有較純矽為佳的電氣特性，包括能在較高的頻率下工作、訊號接收能力強、容易在擁擠的頻帶中分離出訊號，以及耗能效率較佳等優點。

自1990年代未期，業者開始為小眾的利基市場生產小規模的化合物半導體，多半用於通訊領域；化合物半導體具備前述優點，也使得無線通訊產品能夠使用更高的頻帶，而有線通訊產品能使用的頻寬亦更廣。據該機構報告顯示，目前砷化鎵是化合物半導體中所佔比例最高者，2002年達整體的87％，而未來矽鍺產品可望異軍突起，估計至2007年佔整體化合物半導體比例可達33％。

矽鍺產品最佔優勢之處，在於其與純矽半導體可共用CMOS製程，意即目前的8吋或12吋晶圓生產技術，可直接用來製造矽鍺晶圓，降低生產的成本。此外，矽鍺晶圓可用以生產矽鍺HBT（異質界面雙極晶體），不但耗能低，數位電路的集積度也高，相當利於生產通訊用混訊IC。