英飛凌科技（Infineon）與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型（強化模式）矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置（SMD）封裝。Panasonic已提供英飛凌上述常關型氮化鎵電晶體結構的授權。此次合作將使雙方皆可製造高效能氮化鎵裝置。客戶亦將受益於取得封裝相容的氮化鎵功率開關的雙重供貨來源，這是目前其他矽基板氮化鎵裝置皆無法提供的優勢。雙方將於美國北卡羅萊納州夏洛特市舉行的應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC，2015 年 3 月 15 - 19 日) 中，首次展示採 DSO封裝的 600V產品。

矽基板氮化鎵是廣受矚目的次世代化合物半導體技術之一，因為它可達到高功率密度與小體積（例如用於電源供應與轉換器），同時也是提升能源效率的重要關鍵元件。一般而言，採矽基板氮化鎵技術的功率裝置可用於廣泛的用途，從高電壓工業應用 (如伺服器場的電源供應器（所展示的 600V 氮化鎵裝置的應用之一）)，到低電壓應用 (如DCDC轉換器 (例如高階消費性產品))。根據 IHS 市場研究報告，與矽基板氮化鎵相關的功率半導體市場的年複合成長率 (CAGR) 將逾 50%，預期將由 2014 年的 1,500 萬美元成長至 2023 年的 8 億美元。

英飛凌電源管理及多元電子事業處總裁 Andreas Urschitz 表示：「英飛凌致力於為客戶提供各種最佳的產品與技術，包括以氮化鎵為基礎，穩定且可靠的功率裝置。我們相信結合矽基板氮化鎵開關的強化模式與相關的驅動程式以及最佳化的驅動機制，將可為我們的客戶提供極高的價值，而且雙重供貨來源的概念將協助客戶管理並提供穩定的供應鏈。」

Panasonic Semiconductor Solutions公司總裁 Toru Nishida 表示：「我們充分運用了在化合物半導體的經驗，開發出常關型氮化鎵功率技術，它具有簡單組態及易於控制動態的特性。我們期待透過將我們的氮化鎵功率技術中的常關型氮化鎵電晶體結構授權予英飛凌，能夠進一步加速推展氮化鎵功率裝置。我們將持續藉由創新我們的常關型氮化鎵技術，提供滿足客戶需求的解決方案。」