據外電報導，英特爾為奪回全球快閃記憶體（Flash）第一大廠寶座，已於2月份開始積極進行擴產動作，計劃在2004年將Flash產能提升3倍，並在2006年進一步提升產能10倍以上。而英特爾計畫中的擴充產能動作，包括擴充晶圓廠設備以及推出90奈米製程Flash產品。

市調機構iSuppli指出，由於2003年初英特爾在Flash市場欲以漲價策略擴張市佔率的誤判，使得英特爾在全球Flash市場比重，從2002年的26.1％驟降到2003年的15％左右，排名亦從2002年時的全球第一下滑至第四，落後三星（Samsung）、超微（AMD）與富士通（Fujitsu）合資的FASL及東芝（Toshiba），再加上海力士（Hynix）、英飛凌（Infineon）、意法微電子（STMicroelectronics）等業者強敵環伺，迫使英特爾全面展開反擊。

根據英特爾最新發佈第二季（4～6月）季中財測，因為在行動電話和其他可攜式產品Flash需求成長挹注，第二季營收預測從原先76～82億美元，向上緊縮至80～82億美元間，而毛利率預測為60～61％，較之前預測的60％略微調升。

目前Flash銷售成長強勁，超乎原先預期，而行動電話的需求持續增長，將有利於英特爾NOR型Flash銷售表現持續進步。