英特爾宣佈該公司45奈米(nm)邏輯製程技術出現重大突破。該公司已經運用最新45奈米製程技術生產出一顆全功能的SRAM(靜態隨機存取記憶體)晶片。45奈米製程是英特爾下一代可量產之半導體製程技術。Intel計劃於2007年開始以12吋晶圓製造新晶片，並且持續實踐摩爾定律，以每兩年的時程發表新世代製程技術。

目前英特爾已量產65奈米製程技術的半導體元件，該公司有亞歷桑那州與奧勒岡州兩座晶圓廠生產65奈米晶片，愛爾蘭與奧勒岡州的另外兩座晶圓廠也將於今年（2006年）開始啟動生產線。

英特爾的45奈米製程技術將使晶片的漏電率比現今晶片降低五倍以上，有助於提高行動裝置的電池續航力，給予業者更多機會開發體積更小、性能更強的平台。每一個45奈米SRAM晶片內含超過10億個電晶體。雖然SRAM並非英特爾的產品線，但它示範了採用45奈米製程的處理器以及其他邏輯晶片時，所需要的技術效能、製程良率以及晶片可靠度。

英特爾除了宣佈位於奧勒崗州的D1D晶圓廠正開始發展45奈米製程技術的產能，該公司同時也指出正在興建位於亞歷桑那州的Fab 32以及以色列的Fab 28晶圓廠，這兩座高產能晶圓廠都將運用45奈米製程技術生產晶片。