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美光全新LPDDR5 DRAM的多晶片封裝 uMCP5即將量產
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部 報導】   2020年10月21日 星期三

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美光科技今日宣布推出全新搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃記憶體儲存(UFS)多晶片封裝uMCP5。美光的uMCP5現已準備進行量產,該產品在緊密設計的封裝中結合高效能、高容量和低功耗的記憶體和儲存空間,使智慧型手機能夠以更快的速度和功耗效率處理資料密集型5G工作負載量。

美光將高效能記憶體和儲存容量封裝於單一簡潔的設計中,加速智慧型手機的5G應用
美光將高效能記憶體和儲存容量封裝於單一簡潔的設計中,加速智慧型手機的5G應用

此多晶片封裝採用美光的 LPDDR5 記憶體、高可靠性的 NAND 以及領先的 UFS 3.1 控制器,支援過去只有在使用獨立記憶體和儲存裝置等產品的昂貴旗艦機種中才能看到的進階手機功能。伴隨著搭載於更多的高階手機,影像識別、進階人工智慧(AI)、多鏡頭支援、擴增實境(AR)和高解析度顯示等新興技術,將能供越來越多的消費者使用。

美光行動事業單位資深副總裁暨總經理Raj Talluri博士表示:「要將5G的潛力從口號轉化為現實,需仰賴能夠在網路和次世代應用程式中傳輸大量數據的智慧型手機。我們的uMCP5在單一個封裝中結合了最快的記憶體和儲存,就在消費者指尖,為5G革命性、資料豐富的技術釋放新的可能性。」

美光uMCP5為5G生態系統帶來速度與效率

美光曾於今年3月時宣布uMCP5產品送樣,以此為基礎,美光所推出的uMCP5作為首款搭載新一代UFS NAND儲存和低功耗DRAM的多晶片封裝,將為手機市場樹立新標準。如今智慧型手機必須儲存和處理大量資料,已達到LPDDR4規格的中階晶片組的記憶體頻寬極限,導致影片解析度降低、延遲嚴重和功能受限。

藉助LPDDR5,美光將記憶體頻寬從3,733Mb/s大幅提升至6,400Mb/s,即使在使用處理大量數據的功能時,也能為手機用戶帶來無縫的即時體驗。

高通(Qualcomm Technologies)產品管理副總裁Ziad Asghar表示:「5G使智慧型手機能以前所未有的數千兆位元速度連接雲端。我們很高興uMCP5現已上市,為新一代手機帶來與5G速度相當的記憶體,並實現一流的遊戲、差異化的相機和AI體驗以及超快的檔案傳輸。」

uMCP5專為次世代5G裝置設計,可輕鬆快速處理和儲存大量數據,而不影響效能或功耗。高效能記憶體和儲存裝置讓uMCP5得以全面支援5G下載速度,且能同時執行更多應用程式。

美光uMCP5的功能

.電池壽命大幅延長

以uMCP4的成功為基石,美光的uMCP5搭載LPDDR5記憶體以實現5G網路的完全利用。LPDDR5與LPDDR4相比,功耗效率提升近20%。

此外,美光的UFS 3.1較前一代的UFS 2.1功耗降低約40%。對於智慧型手機用戶而言,這意味著電池壽命的延長,即使在使用耗電的多媒體應用程式或資料密集型功能(如AI、AR、影像識別、遊戲、沈浸式娛樂等)時也是如此。

.下載速度快

美光的uMCP5釋放5G效能的全部潛力,與美光之前UFS 2.1規格的解決方案相比,用戶的持續下載速度提高20%。

.耐用性提升

美光的uMCP5 NAND也將耐用性提升約66%,達到5000次寫入/抹除週期(P/E cycles),在不降低裝置效能的前提下,成倍增加裝置可編程和清除的次數和數據量,即使是最重度的使用者,也能延長智慧型手機的使用壽命。

.最大頻寬

搭載uMCP5的裝置將支援高達6,400Mb/s的最大DRAM頻寬,較上一代LPDDR4x的4,266Mb/s頻寬提升50%。這使得手機用戶可以在不影響體驗的情況下對多個應用程式進行多工處理。頻寬的提升還能為智慧型手機中AI驅動的運算攝影實現更高品質的影像處理,為用戶提供專業攝影功能。美光是業界首家支援全速LPDDR5的廠商。

.最新快閃記憶體效能

美光的uMCP5還採用了最快的UFS 3.1規格儲存介面,與美光上一代UFS 2.1產品相比,連續讀取效能提高一倍,寫入速度提高20%。

.緊密設計、節省空間

美光利用其多晶片封裝專長和已知的製造和封裝技術,以盡可能緊密的外形尺寸設計uMCP5,達到更纖薄、更靈活的智慧型手機設計。與獨立的解決方案(即LPDDR5和UFS的獨立版本)相比,使用美光封裝的裝置可以節省55%的印刷電路板空間。空間的節省使手機製造商能夠盡可能擴大電池尺寸或增加功能,如鏡頭、手勢裝置或感應器。美光提供多種容量配置,有高達12Gigabyte(GB)的LPDDR5和512GB的NAND。

uMCP5現已準備量產,有四種不同容量配置:128+8GB、128+12GB、256+8GB和256+12GB。

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