（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組合，此外也將展出GaN（氮化鎵）產品，以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案。英飛凌此次展出的重點產品說明部分如下。

英飛凌（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組

超接面MOSFET技術的持續精進，是滿足現今硬切換及軟切換功率轉換電路在效率、尺寸及成本需求的關鍵。其中CoolMOS C7 600 V技術讓效率大幅提升，不僅使功率密度顯著增加，也奠定朝向「類氮化鎵」低切換損耗發展的基礎。全新MOSFET系列是業界率先突破每 mm2 1 Ω RDS(ON) x A 限制的產品。

為因應耐用性應用需求的持續提升，英飛凌推出高功率的IGBT模組可涵蓋從3.3至6.5 kV完整電壓範圍的 IGBT 晶片。其中高功率平台具備可擴充性，能夠大幅簡化系統設計和製造。此外，其封裝技術具備堅固的架構，提供產品的長期可靠性。

智慧型功率模組MIPAQ Pro提供全新等級的智慧保護功能，是完全合格且經過測試的IPM，整合IGBT、閘極驅動器、散熱片、感測器、數位控制電子裝置以及數位匯流排通訊。這款模組採用半橋式組態，阻斷電壓為 1200 V及1700 V，可支援高達 2400 A 的額定電流。所有關鍵作業參數都受到密切監控，並發佈警告訊號。

隨著電力電子裝置的功率密度提升，對功率模組及散熱片之間的熱介面造成更大挑戰。英飛凌的熱介面材料TIM 不僅提供最低熱阻，也符合功率模組最高的品質標準，達到最長的使用壽命以及最高的系統可靠性。TIM 為預先塗覆，目前已應用於多款英飛凌模組及未來設計。

IGBT5和 .XT 開創了IGBT晶片和互連技術的新紀元。新型PrimePACK產品均採用上述兩種技術，可增加10 倍壽命或提升25%的功率密度。最新一代IGBT5晶片可提升25度的最高操作接面溫度。而.XT技術則已透過燒結IGBT晶片和二極體、強化系統焊接，以及使用銅鍵合取代鋁鍵合等方式實現。

另外，英飛凌透過創新的功率晶片冷卻方法，讓適用於油電混合及純電動車的全新功率模組在功率密度方面跨出重大進展，實現高效率的變頻器。