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搶佔MRAM先機 韓政府攜手三星與海力士
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2009年12月01日 星期二

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外電消息報導,韓國政府日前宣佈,將與三星電子及海力士合作,進行磁性隨機記憶體(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM))的研發,以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位。

據報導,這項合作計畫將由韓國負擔一半的成本,金額為240億韓元(約2,080萬美元),而三星與海力士則共同出資另一半。韓國政府表示,目前研發中心已安裝了12吋的磁性薄膜沈積系統,及其他晶片製造設備,相較於日本所使用的8吋沈積系統,韓國將更具優勢。

韓國半導體部門的官員表示,只要STT-MRAM技術順利研發完成,韓國有望在2015年時,掌握約45%的30奈米製程記憶體晶片市場,預估產值將達530億美元。此外,這個合作案將讓韓國掌握MRAM的基礎技術,並在半導體產業維持世界級的競爭力。

有鑒於Flash記憶體技術在耐用性與微型化的發展上困難重重,因此,多家業者已著手研發新一代的非揮發記憶體技術,包含相變記憶體(Phase-Change Memory;PCM)、FRAM與MRAM等,都是各家業者正積極研發的選項。而其中MRAM在性能與市場接受度上都有較佳的表現,因此有可能成為未來市場的主流方案。

關鍵字: MRAM  三星電子  Hynix(海力士
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