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專利侵權告不完 Mosaid宣布已與三星和解
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年01月24日 星期一

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據外電消息,加拿大半導體廠商Mosaid Technologies於2001年在美國控告南韓三星電子(Samsung Electronics)侵犯該公司7項DRAM科技專利權,日前Mosaid表示該訴訟已與三星達成和解,雙方將簽訂為期5年的授權協定,由三星支付Mosaid權利金;但雙方並未透露相關細節。

Mosaid總裁暨執行長George Cwynar指出,該公司與三星簽訂專利授權之舉,可說是近來最為顯著的一項授權成就,也是對該公司6年前開始推動的專利授權關鍵策略之肯定。Mosaid資深副總暨專利授權法律顧問Jim Skippen表示,全球記憶體巨擘三星與該公司和解、簽訂授權協定,更強化該公司主張專利授權的立場,相信其餘仍未與Mosaid洽談授權的記憶體廠商,可望追隨三星的腳步。

而Mosaid除了與三星因專利興訟,也與英飛凌(Infineon)、海力士(Hynix)有官司正在進行;與前者的間的侵權訴訟目前排定2月中開庭審理,後者遭該公司控告侵犯6項專利權的訴訟,則由美國德州地方法院受理。

Mosaid指出,全球半導體供應商已有多數廠商獲得該公司專利授權,包括富士通(Fujitsu)、恩益禧(NEC)、東芝(Toshiba)、日立(Hitachi)、三菱(Mitsubishi)、沖電氣(Oki)、松下(Matsushita)、SONY、飛利浦電子(Philips)等。

關鍵字: Mosaid   動態隨機存取記憶體 
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