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摩托羅拉半導體加速奈米晶體快閃記憶體研發時程
 

【CTIMES/SmartAuto 鄭妤君 報導】   2003年12月10日 星期三

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已獨立的摩托羅拉(Motorola)半導體部門(Semiconductor Products Sector;SPS)日前宣佈,該公司已加速對於奈米晶體快閃記憶體(Nanocrystal Flash)研發時程;市場分析師指出,該款快閃記憶體將可至少向下延伸到45奈米製程節點,摩托羅拉預定2005年時可推出樣本,並可在2005年將目前之90奈米製程進階至65奈米。

據網站Silicon Strategies引述摩托羅拉半導體先進材料與記憶體事業部主管Bruce White說法指出,摩托羅拉目前正加速推進奈米晶體記憶體晶片,將可嵌入該公司生產的微控制器(MCU)當中;該公司計劃在2005年時推出嵌入式奈米晶體快閃記憶體樣本;而儘管目前仍以90奈米製程進行研發工作,White特別指出,該公司預定在2005年下半、至遲將在2006年,導入65奈米製程試產階段。

據市調研究機構Web-Feet Research分析師Radu Andrei指出,摩托羅拉並非全球唯一正在開發奈米晶體快閃記憶體晶片的半導體大廠,但就其宣佈看來,摩托羅拉積極朝向先進製程、新興材料晶片等方向進攻的企圖心不可小覷。

關鍵字: Motorola  其他記憶元件 
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