Western Digital與鎧俠株式會社（Kioxia），今日共同宣布完成第六代162層的3D快閃記憶體（BiCS6）技術開發，為雙方20年的合作關係立下一個全新里程碑。

第六代3D快閃記憶體擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的先進架構，橫向儲存單元陣列密度較第五代技術大幅提升10％；此橫向擴充的先進技術與162層堆疊垂直記憶體結合，使每晶粒尺寸相比112層堆疊技術減少40％，達到最佳成本效益。

Western Digital和鎧俠團隊於第六代3D快閃記憶體上亦採用Circuit Under Array CMOS和4-plane架構，相較於上一代產品，程式效能提升近2.4倍，讀取延遲降低10%。而I/O效能亦可提升66％，使新一代介面可滿足日益增長的快速傳輸速率需求。

全新3D快閃記憶體技術與上一代相比，不僅降低每單位的成本，也使每晶圓可製造的晶粒數增加70％。鎧俠技術長Masaki Momodomi表示：「鎧俠和Western Digital長達20年緊密的合作關係，展現出強大的製造與研發能力，在全球製造30％以上的快閃記憶體，並堅守以合理價格提供卓越的容量、效能和穩定性的使命。雙方將貫徹此價值信念於一系列以數據為中心的個人電子裝置、資料中心，以及5G網路、人工智慧和自動系統支援的新興應用中。」

Western Digital技術與戰略總裁Siva Sivaram博士表示：「摩爾定律於半導體產業已接近其物理極限，但在快閃記憶體的技術演進卻仍能依循摩爾定律發展。為持續優化並滿足全球與日劇增的數據需求，如何拓展3D快閃記憶體容量是重要關鍵。針對新一代的產品， Western Digital和鎧俠採用創新技術於垂直和橫向擴充，成功達成在更少層、更小晶粒中提供更大容量，並滿足客戶對效能、穩定性與成本的要求。」