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3D NAND產能再增 東芝記憶體與WD合資的日本晶圓廠開幕
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2018年09月19日 星期三

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東芝記憶體公司 (Toshiba Memory Corporation) 與威騰電子(Western Digital),今日共同於日本三重縣四日市的6號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式。該晶圓廠為3D NAND Flash專用廠區,並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

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東芝記憶體於2017年2月開始興建6號晶圓廠,作為生產3D NAND Flash的專用廠區。東芝記憶體與WD已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產96層3D NAND Flash。

與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年3月開始營運,負責研發並推動3D NAND Flash的發展工作。

東芝記憶體社長暨執行長成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示:「我們很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。6號晶圓廠和記憶體研發中心能讓我們在3D NAND Flash市場中維持領先地位,而且我們相信與Western Digital的合資事業,將協助四日市的工廠繼續生產最先進的記憶體。」

Western Digital執行長Steve Milligan同步指出:「今天很榮幸能與我們的重要合作夥伴東芝記憶體一起為6號晶圓廠和記憶體研發中心揭開序幕。近20年來我們合作無間,帶動了NAND Flash技術的成長和創新。此外,我們正積極提升96層3D NAND產能,以因應從消費性、行動應用到雲端資料中心等終端市場的各式商機 。6號晶圓廠具備先進技術設備,將進一步提升我們在業界技術領先和成本領導的地位。」

關鍵字: NAND flash  東芝記憶體  WD 
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