根據日經產業新聞報導指出，日立製作所與日本瑞薩（Renesas）就新一代的半導體記憶體PRAM（Phase Change Random Access Memory；階段變化隨機存取記憶體）的實用化已取得重大進展。根據了解，日製PRAM比起南韓三星電子開發的產品，消費電力僅為其一半，而且記憶體的密集化、驅動上的穩定性，有過之而無不及。這也使得日本科技廠商在與南韓間新一代半導體的開發戰中暫時取得優勢。

報導指出，一般認為PRAM將成快閃記憶體替代品，日本廠商將於後年推出試作品。PRAM是一種即使切掉電源，資料也不會消失的不揮發性記憶體。它以加熱、冷卻形成結晶與非結晶狀態的特殊材料作為記錄元件，用以保存資料。日立等公司以使用於DVD表面上記憶材料加以改良製成薄膜，試作了利用新型PRAM元件電路。

據悉，所試作的電路結構，是將厚度100奈米的薄膜置於控制電流的MOS電晶體（金屬氧化膜半導體）之上，在其上面配線。而根據了解，能夠以向來產品一半左右亦即1.5伏特的低電壓記錄與讀取資料。而且試作品已證明能夠長期穩定動作。現有的半導體，驅動電壓多為1.5伏特，有利於PRAM的產品化。由於易於混載在控制機器的微處理機之內，一般認為有助於行動電話機、數位相機等產品的小型化。如果PRAM付諸實用，據稱可望出現龐大的需求，以替代現今組裝在攜帶式機器內的快閃記憶體。

三星電子等率先開發的PRAM因為是以3伏特的電壓驅動，若要組裝在攜帶式機器內必須要加裝升壓器。日立、瑞薩試作的PRAM，比起相互競爭的三星產品，日立認為在記錄線路的密集化、動作的穩定性等性能也較優。

半導體業目前已展開新一代記憶體的開發戰，富士通、松下電器產業積極埋首於FRAM（強誘隨機存取記憶體）、NEC、東芝推動開發MRAM（磁性記錄式存取記憶體）。理論上，PRAM記錄資訊密集化與長期穩定性相對較優。