恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.;NASDAQ:NXPI)宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點,並具備業界最低的RDS(on),是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。
|
恩智浦標準產品部全球行銷副總裁Simon McLean說,讓不同的產品應用市場都能享有相同的高效能半導體解決方案,正是恩智浦發展PowerMOS的價值主張。 |
恩智浦標準產品部全球行銷副總裁Simon McLean指出,傳統方法主要著眼於降低RDS(on)和Qg,而恩智浦NextPower則採用超級接面技術,使得低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot)與Qgd之間的平衡達到最佳化,進而提昇開關性能,減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗,同時提高SOA性能。此外,恩智浦LFPAK為堅固的Power-SO8封裝,尺寸精巧,面積僅5mmx6mm,可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。
Simon說,恩智浦的PowerMOS重點應用市場,除了目前已經擁有技術優勢的車用市場之外,並進而將車用半導體的品質推向其他應用領域,包括PC市場最大宗的桌上型、筆記型與平板電腦,以及通訊市場的無線基地台,和電源供應器等市場上。讓不同的產品應用市場都能享有相同的高效能半導體解決方案,提供良好封裝、高效能技術、高品質產品,並協助客戶獲取更高價值,正是恩智浦發展PowerMOS的價值主張。