設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球廠商RF Micro Devices，Inc.發表其用於RF和其它應用的專利微機電系統, 或稱MEMS技術。RFMD是針對低成本、整合性RF應用("RF MEMS")研發MEMS技術的先驅自2004年以來，並相當積極投入MEMS技術的商品化。RFMD並預期其專利MEMS技術，將在RF和其它應用上達到功能整合之突破性效能及水準。

由RFMD所發表的第一款RF MEMS元件，為一RF MEMS傳輸/接收開關，以及針對3G多模手機的RF MEMS模式開關。RFMD 的MEMS開關技術，將透過具體縮減產品接腳佔位及提升效率之優勢，具體加速3G部署, 並延長手機通話時間。一旦針對前端解決方案(GaAs 、SOI和矽晶)結合RFM的製程技術，RFMD的RF MEMS開關技術將為低成本、小尺寸及高效能前端確立新標準。

RFMD的MEMS開關並將用於功率放大器(PA)之輸出電路以創造可調諧的功率放大器，該公司預期此將致能真正的可調式傳輸器解決方案。RFMD研發副總裁Victor Steel表示：「RFMD專利MEMS技術的商品化，以及我們200mm MEMS R&D廠的建立，都印證了RFMD持續對於創新之承諾。RFMD是唯一能以具成本效益、晶圓等級封裝、單晶解決方案組合混合訊號CMOS、電源管理、功率放大器、RF交換器及RF MEMS的公司。」

加州大學聖地牙哥分校教授、及MEMS發展早期先驅Gabriel M. Rebeiz補充:「既有的RF MEMS開關技術是根據小型製造產量及晶圓對晶圓封裝技術，使得元件成本相當高。RFMD的矽晶高層次整合方法將能解決此問題，進而提升產能、達到更高的效能及更低成本。」

RFMD的RF MEMS開關為高功率、歐姆接觸MEMS開關，其屬於RF CMOS SOI晶圓的後製程above-IC，並被壓縮於密封的晶圓等級封裝(WLP)絕緣栱型架構。操作RF MEMS開關所有必要的電路，都整合入下層CMOS，包括大電壓及用以可靠刺激電源MEMS 開關的所需控制訊號。RF MEMS開關完全支援RFMD嚴格的蜂巢式RF電源模組要求, 包括低插入損耗和高隔離(典型值0.2dB/35dB@1.9GHz)以及高諧波拒斥(典型值>90dBc)，並且同樣符合在設計及製造上對於可靠性及成本的嚴苛要求。

除RF MEMS開關外，RFMD亦積極發展其他MEMS元件的商品化，如RF MEMS濾波器、RF MEMS共振器(crystal replacement)及MEMS感測器。該公司預計其MEMS技術搭配既有的高效能無線電頻率系統能力，終將使單晶片前端及軟體定義無線電符合任何通訊協定- 無論蜂巢式或非蜂巢式。

RFMD並將成立一200mm R&D晶圓廠，以支援其持續性的MEMS研發。此MEMS研發廠將與RFMD的GaN研發組織共同位於北卡羅萊納州Mooresville的新工廠。