光與電，在電子系統裡一直被視為兩個獨立分開的元件功能。而來自台灣師範大學光電工程研究所的跨國研究團隊，卻打破了這個疆界，他們發現了透過整合可變電阻式記憶體（RRAM）和量子點鈣鈦礦，成功實現了一種同時具備儲存與發光功能的電子元件，為科技應用開啟了新的視野。

台師大團隊研發出可發光記憶體技術

這個研究團隊是由科技部基礎科學研究計畫所支持，由國立臺灣師範大學光電工程研究所李亞儒與張俊傑教授，以及日本九州大學材料化學與工程研究所玉田熏（Kaoru Tamada）特聘教授，跨國組成的研究團隊。

RRAM為電阻式記憶體，是一種運用高電阻和低電阻狀態之間切換的材料，用以表示1和0的位元數據。然而RRAM需要透過先檢查電阻狀態，來讀取0和1的數值，因此限制整體儲存速度。雖然有研究將RRAM與LED結合，成為發光記憶體，讓數據額外進行光學讀寫，以改善效能。但RRAM與LED是兩個獨立元件，要整合並不容易。

而台師大的團隊則透過使用鈣鈦礦材料，成功突破了整合的瓶頸。

李亞儒教授表示，團隊使用由溴化銫鉛（CsPbBr3）組成的鈣鈦礦量子點，可在鈣鈦礦RRAM元件中，以電子方式進行數據寫入、刪除和讀取。同時，第二個作為鈣鈦礦LEC的元件，則具高速光學傳輸特性，可透過發光方式寫入或是刪除數據。

至於如何呈現不同狀態的光譜，李亞儒教授指出，他們在發光記憶體元件中使用兩種不同尺寸的鈣鈦礦量子點，藉由量子侷限效應改變發光波長，來即時判讀發光記憶體是處於1或0的記憶狀態。

李亞儒教授強調，這個技術只需使用單一種鈣鈦礦半導體，作為兩個獨立元件的基礎材料，可以大幅簡化製程，同時也易與其他的半導體元件進行系統整合，大大提高了實用性。

在耐用性方面，李亞儒教授解釋，團隊選用溴化銫鉛化合物，除了能在常溫下來運作，同時也具備很好的耐用度。但因為使用了鉛，因此也衍生了一些環保的考量。至於實際的記憶體元件的讀取壽命，則有賴業者商品化才能得知，但在實驗室測試皆能達成目標。

整合了光與電的元件究竟可以用在哪裡？李亞儒教授表示，在應用領域上，未來將可望用於群播網狀網路（Mesh），或者是高階數據加密系統中。目前研究團隊也正在著手第二階段的研究，也就是希望反過來運作，也就是以光照來進行資料的寫入。