帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
打造SiC走廊 科銳將於紐約州建造最大SiC工廠
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2019年09月24日 星期二

瀏覽人次:【4482】

科銳(Cree)計畫在美國東海岸創建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽製造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy建造一座全新的採用最先進技術並滿足車規級標準的200mm(8吋)功率和射頻(RF)晶圓製造工廠,而與之相輔相成的超級材料工廠(mega materials factory)的建造擴產正在公司特勒姆總部開展進行。

科銳將於紐約州建造全球最大SiC工廠,該計畫將實現25%產能提升和更低的淨資本性支出。
科銳將於紐約州建造全球最大SiC工廠,該計畫將實現25%產能提升和更低的淨資本性支出。

這新製造工廠是先前所宣佈計畫的一部分,旨在顯著提升用於Wolfspeed碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)業務的產能,將建設成為一座規模更大、高度自動化和更高生產能力的工廠。通過與紐約州州長(Andrew M. Cuomo)辦公室以及其他州立與當地機構和實體的戰略合作,公司決定在紐約州建造該新工廠,這將為科銳同時帶來連續性的未來產能擴大和顯著的淨成本節約。

科銳將繼續推進從矽(Si)向碳化矽(SiC)技術的轉型,滿足公司開創性Wolfspeed技術日益提升的需求,支援電動汽車(EV)、4G/5G移動和工業市場的不斷成長。

據了解,科銳將投資近10億美元,用於在紐約州fab的建造、設備和其它相關成本。紐約州將提供來自Empire State Development 的5億美元資金,同時,科銳可享受當地額外的激勵政策和減稅,以及來自紐約州立大學的設備和工具。因此,公司預期在先前宣佈的到2024年10億美元擴大產能計畫之中,可以實現將近2.8億美元的淨資本節約。同時,比之先前計畫的工廠,將帶來25%的產能提升。這座新工廠計畫將於2022年實現量產,完工面積達到480,000平方英尺,其中近1/4將是超淨間,提供未來所需產能擴充。這些擴展計畫,將進一步提升科銳在市場競爭的領先地位,加速碳化矽(SiC)在一系列高成長產業中的採用。

關鍵字: SiC  Cree 
相關新聞
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» STM32MP25系列MPU加速邊緣AI應用發展 開啟嵌入式智慧新時代
» STM32 MCU產品線再添新成員 STM32H7R/S與STM32U0各擅勝場
» STM32WBA系列推動物聯網發展 多協定無線連接成效率關鍵
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流
» ST以MCU創新應用潮流 打造多元解決方案


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.133.126.46
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw