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ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2022年12月20日 星期二

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ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱日立安斯泰莫)使用於電動車(以下簡稱EV)逆變器。

ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器
ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器

在全球實現減碳社會的過程中,汽車的電動化進程持續加速,在此背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程並縮減電池尺寸,如何提高驅動核心—逆變器的效率已成為重要課題,市場對碳化矽功率元件更是寄予厚望。

ROHM自2010年起領先全球率先開始量產SiC MOSFET,在SiC功率元件技術開發方面,始終保持業界領先地位。其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間,並實現了業界超低導通電阻。在車電逆變器中採用該產品時,與使用IGBT時相比,電耗可以減少6%(按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算),非常有助延長電動車的續航里程。

日立安斯泰莫多年來一直致力於車用馬達和逆變器等相關技術研發,並且已經為日益普及的EV提供了大量產品,在該市場中擁有傲人成績。本次為了進一步提高逆變器性能,日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中採用了SiC功率元件,並計畫2025年起,向包括日本在內的全球車廠供應逆變器產品。

今後ROHM也將以SiC功率元件領導企業之姿,不斷擴大產品陣容,結合能大幅發揮元件性能的控制IC等週邊元件技術優勢,持續提供有助汽車技術創新的電源解決方案。

關鍵字: SiC  GaN  ROHM 
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