蔚華科技與旗下數位光學品牌南方科技合作，共同推出業界首創的JadeSiC-NK非破壞性缺陷檢測系統，採用先進非線性光學技術對SiC基板進行全片掃描，找出基板內部的致命性晶體缺陷，用以取代現行高成本的破壞性KOH（氫氧化鉀）蝕刻檢測方式，可提升產量並有助於改善製程。若以每個SiC晶錠需蝕刻2片基板來計算，JadeSiC-NK可為具有100個長晶爐的基板廠省下每年2.5億因蝕刻而損耗的成本。

左起：蔚華科技總經理 楊燿州、蔚華科技董事長 秦家騏、光電科技工業協進會董事長 邰中和、技嘉科技董事長葉培城、南方科技董事長陳怡然、南方科技總經理 王嘉業

需求爆發 SiC基板與元件供不應求 唯KOH是高成本痛點

在現今環境永續意識抬頭的全球趨勢下，許多國家已制定電動車的階段性政策目標，SiC晶片需求迅速爆發，尤其用於生產電動汽車使用的耐高溫高壓SiC功率半導體元件，供給量遠遠不及需求。

化合物半導體的基板材料品質決定下游晶片的可靠度及性能優劣，但SiC長晶速度較慢，且基板晶體缺陷只能以破壞性的KOH蝕刻方式進行抽樣檢測，使得SiC晶片製程成本居高不下，目前全球主要基板廠皆積極投資產能擴充並改善製程，加速產業布局以搶攻市占率。基板廠與元件廠若能在製程中對材料做全面非破壞性檢測，不僅可減少原本KOH蝕刻的有害化學溶液使用量，更能及早發現問題，進而有效改善製程、提升良率，進而在化合物半導體市場中展現優勢。

JadeSiC-NK以非線性光學檢測取代現行破壞性KOH蝕刻 可降低成本提高產能

南方科技總經理王嘉業表示，目前市場上的光學技術只能檢測表面非晶體缺陷，JadeSiC-NK系統採用先進的非線性光學技術，可對全片基板表面到特定深度進行掃描，反應晶體結構資訊，提供晶體缺陷密度及其分布狀況，讓客戶有效掌握基板品質，未來生產出的元件品質與效能也能更加穩定。

王嘉業進一步說明，JadeSiC-NK非破壞性缺陷檢測系統專注在穩定且有效地找出基板中的致命性晶體缺陷（BPD, TSD, MicroPipe, Stacking Fault），相較現行將SiC晶錠切片後取上下二片基板進行檢測的KOH蝕刻方式，可大幅節省檢測時間與基板成本。以每個長晶爐每月產出四個晶錠為例，採用JadeSiC-NK後，每個晶錠可省下二片基板成本（每片6吋基板以800美元計），因此可推估一個長晶爐每年可省下台幣250萬元，若是具有100個長晶爐的基板廠，一年即可省下台幣2.5億元！此外，JadeSiC-NK也可針對同一個晶錠進行100%的晶圓檢查，進行詳細的晶錠分析和批次追?分析，協助客戶在高技術門檻的化合物半導體市場加速製程及產量優化。

國立陽明交通大學光電工程學系講座教授郭浩中表示，蔚華與南方科技推出的JadeSiC-NK系統，將非線性光學技術應用在化合物半導體的檢測分析，有助突破目前業界在量產及製程改善的技術瓶頸，對於產業鏈發展提供極大推力，期盼此系統能以更有效更穩定的檢測方法，建立業界SiC基板檢測標準。