安森美半導體公司（ON Semiconductor）宣佈收購 SensL Technologies Ltd. （簡稱 SensL ），此次收購預估將立即增加安森美半導體的非公認會計原則 （Non-GAAP）每股盈利。

SensL總部位於愛爾蘭，是專門為汽車、醫療、工業和消費市場提供矽光電倍增管（SiPM）、單光子雪崩二極體（Single-Photon Avalanche Diode；SPAD）和光達（LiDAR）感測產品的技術領導者，此次收購使安森美半導體擴展其在先進駕駛輔助系統（ADAS）和自動駕駛的汽車感測應用領域的市場領導地位，拓展在成像，雷達和光達的能力。結合此次在愛爾蘭的收購、及此前在以色列和英國收購的雷達技術和設計中心，安森美半導體具備獨一無二的優勢，為下一代高度自動化汽車提供全面的感測器解決方案，以及鞏固公司在圖像感測和超聲波停車輔助的領導地位。安森美半導體計劃於2018年下半年推出採用2017年收購的雷達技術的樣品。

安森美半導體圖像感測器部門高級副總裁暨總經理Taner Ozcelik表示：「由Carl Jackson創立並由Bryan Campbell領導的整個SensL團隊將矽光電倍增管（SiPM）在推出市場方面做得有聲有色，我們期待擴大他們在市場上的成功，並繼續其光達（LiDAR）、醫療成像和輻射探測的產品組合。汽車感測器融合的需求正在加速增長，且需要更多由SensL團隊提供的感測器技術。擴展安森美半導體在愛爾蘭的感測器技術資產和設計能力將使我們能夠擴大在既有區隔市場的領導地位，並為新興區隔市場提供世界頂尖的新解決方案。」

SensL團隊將直接向安森美半導體圖像感測器部門匯報。該團隊位於愛爾蘭的科克（Cork），擴大安森美半導體全球感測器設計據點，包含美國、英國、日本、印度、以色列和愛爾蘭。

SensL目前是醫療成像新領域的領導者之一，提供圍繞矽光電倍增管（SiPM）和單光子雪崩二極體（Single-Photon Avalanche Diode；SPAD）技術的寬廣產品線，為實現實惠的固態光達（LiDAR）鋪平道路。該公司一直是汽車光達（LiDAR）新興領域的領導者，擁有多個客戶和基於其領先的單光子雪崩二極體（Single-Photon Avalanche Diode；SPAD）和矽光電倍增管（SiPM）深度感測技術的強大產品藍圖。過去15年，SensL深度投資於研發，是深度感測技術的領導者。該技術基於CMOS，為高性價比的固態光達（LiDAR）解決方案提供規模經濟效益，並為具有挑戰性的成像情景提供領先的深度精度、距離和功耗。這些深度感測技術還能夠推動工業機器人、機器視覺、無人機以及行動和其他消費應用的發展。此外，安森美半導體廣泛的產品組合與特定應用積體電路（ASIC）優勢與SensL的感測器相輔相成，能提供更完整和最佳化的解決方案給汽車、醫療、工業和消費市場廣泛的客戶。

此次收購鞏固安森美半導體作為自動駕駛和ADAS應用感測解決方案的領導地位，提供全面的成像、雷達、超聲波和光達（LiDAR）技術和產品組合。