松下電器（Panasonic）及瑞薩科技（Renesas）宣佈，將在瑞薩那珂廠（茨城縣日立那珂市）加強雙方對尖端SoC製程技術的聯合開發工作，並從2009年10月1日起，啟動該廠房之28至32奈米製程開發生產線的運作。兩家公司將以其300mm晶圓生產線投入那珂廠的聯合開發工作，並提供聯合開發架構，以開發28奈米製程技術。預定近期內開始大量生產。

在瑞薩科技成立之前，松下電器與瑞薩科技即已在1998年達成聯合開發新一代SoC技術的協議，並持續在瑞薩北伊丹廠（兵庫縣伊丹市）開發90奈米、65奈米、45奈米和32奈米世代的半導體製程技術。此聯合開發工作的成果之一，即為在2008年10月使用具備金屬/高介電率柵極堆疊結構的電晶體技術以及32奈米系統SoC製程的超低介電材料，完成互連技術開發，並進一步確定其於大量生產應用上的目標日期。此外，在2009年7月，這項合作案使用金屬/高介電率柵極堆疊結構為28奈米製程完成SRAM記憶晶胞的開發。如今兩家公司進一步以這些成果為基礎，將在瑞薩那珂廠新裝設的300 mm晶圓開發生產線上使用28奈米製程技術，以實現完全整合技術的聯合開發運作。

除了將瑞薩北伊丹廠房的部份開發生產線設備轉移過來之外，兩家公司也已在那珂廠的開發生產線中裝設新式生產設備。藉由落實實際應用於大量生產的晶圓尺寸開發工作，兩家公司所希望達成的目標是順暢移轉至大量生產，並降低開發成本及時間。這些成果將能改善開發及生產效率。

28至32奈米 SoC製程技術正是這些聯合開發努力的成果，並已充分運用在兩家公司的尖端行動裝置及數位設備SoC應用上。目前兩家公司的廠房中已開始大量生產這些產品。

此一長期合作關係是造就此次宣佈的技術累積成果主要推手，因此兩家公司仍會持續攜手開發高效率尖端技術，並儘早將這些技術運用在產品量產上。