Soitec與ASM International N.V.宣佈在應變絕緣矽(sSOI)的合作計畫上達成一項重要的里程碑，此項合作計畫成功在65奈米環境試產第一代應變矽晶圓。Soitec與ASM自今年5月起開始合作，此項計畫目前著重於微調sSOI製程以達基板效能最佳化，提高生產力及成本效率，進而加快完全商業化8吋應變SOI晶圓及最終12吋晶圓產品的上市時程。Soitec新系列應變SOI基板的第一款產品包含提供應變矽層植生的絕緣矽鍺(SGOI)樣板基板。這些SGOI晶圓是針對部份及完全匱乏應用所設計，能夠協助半導體產業提升元件效能，同時縮小線寬與提升晶片密度。Soitec後續推出的新世代應變矽晶解決方案將包括鍺成份更高的SGOI、無矽鍺模板層的應變矽晶及鍺絕緣層等，並且都將針對45奈米以下的環境進行研發。為配合磊晶模組研發時程，加速推出8吋與12吋 SGOI晶圓樣本，Soitec 與ASM採 「虛擬晶圓廠」模式。雙方研發團隊先針對磊晶量產環境合作微調出最佳製程，再各自於雙方廠房試產晶圓。此種 「虛擬晶圓廠」模式協助Soitec快速推出試產樣本，縮短建置量產環境基礎建設的時程。待磊晶設備完成安裝，生產技術亦趨成熟後，將於Soitec位於法國Bernin的廠房，也就是目前全球最大的SOI廠開始量產 。