NAND快閃記憶體控制晶片品牌慧榮科技，推出一系列最新款超高效能、低功耗的 PCIe 4.0 NVMe 1.4 控制晶片解決方案以滿足全方位巿場需求，包括專為高階旗艦型Client SSD設計的SM2264、為主流SSD市場開發的SM2267，以及適用於入門級新型小尺寸應用的SM2267XT DRAM-Less控制晶片。

慧榮科技推出最新款PCIe 4.0 NVMe 1.4 控制晶片，為消費級SSD帶來極致的效能體驗

慧榮科技最新款 SSD 控制晶片解決方案符合 PCIe 4.0 NVMe 1.4 規範，展現Gen4的超高效能和低功耗特性，結合慧榮獨家的錯誤碼修正 (ECC) 技術、資料路徑和 EMI 保護，提供完整、穩定的資料保護，滿足儲存設備所需的高效穩定需求。全球已有10家重量級客戶，包括 NAND 大廠和 SSD OEM 採用慧榮科技的Gen 4控制晶片搭載 3D TLC或QLC NAND推出新品。

慧榮科技總經理苟嘉章表示，PCIe Gen4 將SSD的效能往上推升到另一個層次。最新款的 PCIe 4.0 SSD 控制晶片為消費級SSD應用提供一套完整的解決方案，能滿足全球 PC OEM 和 SSD模組領導廠商的長遠需求。目前，多家 OEM 大廠客戶已開始導入最新款的 Gen 4 SSD控制晶片在他們的新品開發中，其中已搭載 SM2267 控制晶片的SSD已進入量產階段。

市調公司TrendFocus 副總裁Don Jeanette表示：「眾所皆知慧榮科技長期以來一直是SSD控制晶片技術的領導者。在Gen 4規格日漸受到市場重視的同時，該公司於此時推出新品正好抓住最好的時機，而未來幾年 Gen 4 勢必成為PC、遊戲機及其他消費性裝置的標準規格。」

SM2264主要瞄準高效能和車用級 SSD應用，搭載四核心ARM Cortex-R8 CPU，內含四個 16Gb/s PCIe 資料匯流排，並支援八個 NAND 通道，每個通道最高可達每秒 1,600 MT。SM2264的先進架構採用12奈米製程，能夠大幅提升資料傳輸速率、降低功耗並提供更嚴密的資料保護，連續讀寫效能最高可達 7,400MBs / 6,800 MBs，隨機讀寫速度最高達 1,000K IOPS，提供使用者更高效能體驗。ARM CortexR-R8架構提供高速多執行緒處理能力，可滿足新一代儲存應用所需的混合工作負載作業需求。SM2264 搭載慧榮科技最新第 7 代 NANDXtend技術，結合慧榮科技專利的最新高效能4KB LDPC糾錯碼（ECC）引擎和RAID功能，為最新一代的 3D TLC 和 QLC NAND 提供錯誤校正能力。內建 SR-IOV 功能的 SM2264 也是車用級儲存裝置的理想選擇，最多可同時為八台虛擬機器(VM)提供直接的高速 PCIe 介面。SM2264 目前進入客戶送樣階段。

慧榮科技的 SM2267 和 SM2267XT 滿足主流消費級和高性價比 SSD應用需求，具備四個 16Gb/s 通道的 PCIe 和四個 NAND 通道，每個通道的最高速度為 1,200 MT/s，而連續讀寫效能更可高達每秒 3,900/3,500 MB。SM2267 包含 DRAM 介面，而 SM2267XT DRAM-less 控制晶片可在不影響效能的前提下，滿足小尺寸產品設計需求。兩者均搭載 NANDXtend ECC 技術，並支援最新一代 3D TLC 和 QLC NAND，提供高效能、高可靠性，最符合經濟效益的 PCIe NVMe SSD 解決方案。SM2267 和 SM2267XT 已進入量產階段。