為提高生產製程，日商東芝將於日本兩處生產基地內建立12吋晶圓生產線，一處位於九州的系統LSI生產基地，新生產線將採用東芝的嵌入式DRAM製程技術；另一處在愛知縣的記憶體生產基地，將生產NAND型快閃記憶體。預計此投資案將從2003年4月始，連續投資四年，估計總投資為3500億日元。

東芝九州廠生產線，主要生產寬頻網路應用，大量生產系統LSI，該廠未來將採用45奈米製程，從2003會計年度始興建，計畫2004的會計年度投產；愛知縣的設備計畫於2006的會計年度開始量產。

本月中旬東芝和SONY共同對外發佈用於嵌入式記憶體的65nm CMOS製程技術，該技術將使單片元件的尺寸縮小為目前市場上嵌入式晶片的四分之一。東芝和SONY表示，該技術將把市場帶向「Ubiquitous Computing」領域，即任何時候都能進行全面互聯。該製程可生產具有高速切換速率的30nm電晶體，以及全球最小嵌入式DRAM和SRAM。

東芝和SONY已採用65nm製程，生產單元尺寸為0.11平方微米的嵌入式DRAM，使256MB的記憶體整合於單晶片上；另外，該技術還可生產僅有0.6平方微米之世界最小嵌入式SRAM。