東芝發表了新一代的NAND快閃記憶體技術。據了解，東芝成功研發了不必依賴微細化而能增大NAND快閃記憶體容量的儲存單元排列技術。在柵極電極膜和絕緣膜交互層疊的結構上，打入貫通上層到下層的小孔，在柱狀空隙中填入含雜質的矽。如此一來，由於柵極電極層以一定的間隔包圍矽柱，所以只要在各交叉點形成資料儲存空間—SiN膜，就可以讓該部分變成SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）型NAND快閃記憶體。東芝將這樣的技術定位成下下世代使用的NAND快閃記憶體技術。

過去的積層結構是在矽底板上形成二維儲存單元，並根據層數重復該步驟進行層疊。而這樣的製作手續是個難題。新結構由於一開始就對層疊起來的電極膜和層間絕緣膜一次性打上貫通孔，因此生產效率非常高。新結構即使增加積層數量，也不需要增加光刻製程（Lithography）的次數，且驅動控制柵極的電路也不會大幅增加。

由於新的儲存結構不是透過儲存單元的微細化，而是透過增加層數來提高單位晶片面積的容量密度，所以可望成為未來增大記憶體容量的方法。

積層結構的貫通孔利用反應性離子刻蝕（Ion Etching）技術進行加工配置。其他的步驟也可以採用與過去相同的設備和材料。東芝表示，該技術已經確定，未來則將朝向提高性能和穩定性的方向來發展。