比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具。

High NA實驗室內的TWINSCAN EXE:5000高數值孔徑極紫外光曝光機首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米導線圖形。

這座由ASML與imec共同成立的High-NA EUV實驗室宣布正式啟用，象徵著高數值孔徑極紫外光製程預備投入量產的里程碑—預計將於2025~2026年實現。imec與ASML把high-NA EUV原型機與相關工具（包含光阻塗佈與顯影機、量測工具、晶圓與光罩處理系統）開放給尖端的邏輯和記憶體晶片製造商使用，藉此協助他們在晶圓廠啟用high-NA EUV曝光機之前，先降低該技術的開發風險，並開發自有的應用案例。這些資源也會開放給材料商及設備商的廣泛生態系統，以及imec的高數值孔徑圖形化研究計畫。

為了讓0.55數值孔徑的EUV曝光機及基礎設施順利啟用，隨之而來的準備工作早在2018年展開積極部署。這段期間，ASML與蔡司（ZEISS）成功開發了high-NA EUV曝光機的專用解決方案，包含曝光源、光學元件、鏡頭變形、光罩場域拼接、縮短焦點深度、邊界放置誤差及疊對準確性。同時，imec與其廣泛的供應網絡緊密合作來籌備圖形化生態系統，包含開發了先進的光阻劑與塗料底層材料、光罩、量測及檢測技術、（變形）成像技術、光學鄰近修正（OPC）、整合光罩圖樣及蝕刻技術。

最近，這項籌備工作完成了首次曝光顯影，第一次成功在荷蘭費爾德霍溫利用0.55數值孔徑EUV曝光機原型，在金屬氧化物光阻劑（MOR）上形成排列密集（間距為20奈米）的10奈米導線圖形。

imec執行長Luc Van den hov表示：「高數值孔徑極紫外光技術是光學顯影技術的下一個里程碑，可望一次曝光就能完成間距為20奈米的金屬導線或間隔圖樣，並有助於打造出新世代的動態隨機存取記憶體（DRAM）。相較於目前採用多重圖形化的0.33數值孔徑EUV製程，這將能改良產量，並縮短生產週期，甚至是二氧化碳排放量。因此，這項最新的顯影技術會是推動摩爾定律邁向埃米（angstrom）世代的關鍵推手。運用這台high-NA EUV曝光機原型，我們迫不及待想要在現實生活中探索這些性能。對imec及我們的夥伴來說，這座High NA EUV顯影實驗室將成為我們比利時魯汶12吋晶圓無塵室的虛擬延伸，讓我們進一步改良圖形化生態系統，並提升高數值孔徑極紫外光技術的解析度極限。」

ASML執行長Christophe Fouquet表示：「由ASML與imec共同建立的High NA EUV微影實驗室提供我們極紫外光設備的客戶、夥伴及供應商使用高數值孔徑極紫外光系統的機會，讓他們在等待自家系統於廠房啟用時可以先行開發製程。這種盡早投入生態系統的作法獨一無二，還可能大幅加速這項技術的學習進度，並協助將其順利導入製造階段。在這段過程中，我們致力以高數值孔徑極紫外光技術與客戶建立合作並提供協助。」