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EECO和ALLOS演示高性能200mm Gan-on-silcon實現micro-LED應用
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2017年11月02日 星期四

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Veeco Instruments Inc.宣布與ALLOS Semiconductors(ALLOS)完成一項戰略措施,以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 Veeco與ALLOS合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel Single-Wafer MOCVD系統上,以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED。

“使用Propel反應腔,我們就擁有了一項MOCVD技術來實現高產能的GaN磊晶,可滿足在200mm矽生產線上生產Micro-LED元件的所有要求, “ALLOS半導體公司執行長Burkhard Slischka表示。不到一個月的時間,我們就已經在Propel上建立了我們的技術,並且獲得了無裂紋、無回熔 (meltback-free)的晶圓,其翹曲度低於30 微米,晶體質量高,優異的厚度均勻性與小於1nm的波長均勻性。 和Veeco一起,ALLOS期待將這種技術更廣泛地應用於Micro-LED的產業中。“

Micro-LED顯示技術由< 30x30平方微米的紅色,綠色,藍色(RGB)無機LED所組成,再轉化為顯示器背板以形成子像素。與OLED和LCD相比,這些高效率LED直接發射且耗電量更低,卻可以為移動顯示器,電視機和穿戴式裝置提供卓越的亮度和對比度。Micro-LED的製造需要高質量、均勻的磊晶晶片來滿足顯示器的產量和成本控制的目標。

“與競爭對手的MOCVD平台相比,由於Veeco的TurboDisc technology提供了更廣泛的製程範圍,因此Propel提供了一流的均勻性同時還能獲得優良的薄膜品質。”Veeco高級副總裁兼MOCVD營運總經理Peo Hansson博士表示。“將Veeco領先的MOCVD專業技術與ALLOS的GaN-on-Silicon的磊晶技術結合在一起,使我們的客戶能夠開發出低成本的Micro-LED,為新的市場中的開拓出新的應用。”

關鍵字: micro-LED  Veeco 
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