國內多家砷化鎵(GaAs)廠都已投入光通訊元件的開發，其中尤以擁有MOCVD設備的砷化鎵磊晶廠最為踴躍，包括全新、博達、勝陽、華森、連威與國聯都已逐步調低原來在無線通訊HBT晶片或高亮度LED產品的生產比重，轉型開發應用在光主動元件上的雷射二極體(LD)，以因應未來光纖通訊產業美好的發展前景，

目前砷化鎵磊晶廠都是以垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)作為投入光通訊產業的試金石，除了其具備有優秀的價格與性能比(Price-to-performance Ratio)外，VCSEL目前主要材料為砷化鎵，在設備投資上也是以MOCVD製程設備為主，也比較適合過去以無線通訊HBT晶片，或高亮度LED為產品主力的砷化鎵磊晶廠進行轉型。

目前勝陽已研發出國內首片八五○nm的VCSEL磊晶片，預計七月份會有一三一○nm的 F-P雷射(邊射型雷射)磊晶片出爐，而國聯、全新、連威與博達今年底也陸續會有VCSEL產品亮相。從各家公司所規劃的產品藍圖可發現，技術層次更高，甚至必須採用磷化銦(InP)作為材料的一三一○ nm(奈米)VCSEL磊晶片將是下一步共同的開發目標。除了應用在光收發器(Transceiver)上的雷射二極體(包括VCSEL與F-P雷射)外，開發光放大器(Ampifier)用幫浦雷射，則是國內砷化鎵磊晶廠另一個光通訊元件產品方向。

去年以來全球手機市場成長力道減弱，加上國內競爭者眾，導致無線通訊HBT晶片或高亮度LED的價格滑落迅速，反觀光通訊元件產業雖有庫存嚴重情形，但其中光主動元件(含光收發器與光放大器)部份，在市場上仍是炙手可熱。