德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率。

TI 的低功率 GaN 產品組合，可將一般 67W AC/DC 筆記型電腦供應器的尺寸縮減多達 50%

具備整合式閘極驅動器的全新 GaN FET 產品組合，包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626 等，均可提供業界最準確的整合式電流感測功能。此功能可排除對外部分流電阻器的需求，且相較於搭配離散式 GaN 和矽晶 FET 使用的傳統電流感測電路，此功能可降低高達 94% 的相關功耗，進而協助設計人員達到最高效率。

實現最高能源效率並簡化散熱設計

TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN FET 可加快切換速度，有助於防止轉接器過熱。針對小於 75W 的 AC/DC 應用，設計人員可達到 94% 的系統效率，而針對大於 75W 的 AC/DC 應用，設計人員則可達到 95% 以上的系統效率。新產品可協助設計人員縮減一般 67W 電源供應器的解決方案尺寸，相較於矽基解決方案，其尺寸可縮減高達 50%。

此產品組合亦針對 AC/DC 電源轉換中最常見的拓撲結構最佳化，例如準諧振反馳、非對稱半橋反馳、電感對電感轉換器、圖騰柱功率因數校正與主動鉗位式反馳等。

對GaN 製造的長期投資

TI 全球自有、區域多元的內部製造營運方式已行之有年，其中包含晶圓廠、組裝與測試工廠，以及遍佈全球 15 個據點的多個凸塊與探針設施。TI 投資製造 GaN 技術已超過 10 年。

TI 規劃至 2030 年，將擁有 90% 自有封裝及測試產能，因此未來數十年皆可為客戶提供可靠的產能。