國家實驗研究院台灣儀器科技研究中心（國研院儀科中心）在科技部指導下，配合國家政策，積極發展先進半導體設備，期能落實半導體設備自主化的目標。

國研院於台灣國際半導體展展示高階儀器設備自主研發成果

國研院儀科中心深耕光機電及真空領域逾45年，近年來將核心技術實踐應用於半導體設備自主化，開發出第一台由國人自製之「原子層蝕刻」（Atomic Layer Etching；ALE）設備，並實際結合國家實驗研究院台灣半導體研究中心（國研院半導體中心）之半導體製程平台，完成半導體元件製作及驗證測試。此半導體製程設備與技術平台成果於9月23日至25日南港展覽館「SEMICON Taiwan 台灣國際半導體展」發表，並同步展示半導體產業高階儀器設備自主研發成果與客製服務績效。

除了實體成果展示外，國研院在9月24日下午於半導體展「創新技術發表會」（TechXPOT）舉辦「國研院先進半導體設備與製程技術」在地化成果發表會。國研院儀科中心楊燿州主任表示，國研院在開發半導體產業未來發展佈局所需關鍵儀器設備之成果有目共睹，結合儀科中心與半導體中心強大的研發能量，國研院可提供國內先進封裝曝光機廠商及原子層蝕刻設備廠商最佳的研發服務平台。

台灣的半導體產業在國際上具有重要地位，但半導體儀器設備卻多仰賴國外進口，製程技術受國外設備商所箝制，機台價格昂貴且維修不易。國研院儀科中心在科技部的政策引領下，以驅動儀器設備在地化為使命，近年來全力投入半導體高階儀器設備及關鍵零組件之自研自製，協助國內半導體設備供應鏈在地化發展。因應產業界對於半導體製程之尺寸微縮需求，以及奈米科技於多元科技之應用發展，儀科中心發展「原子層沉積技術」（ALD）十多年，已提供學界與業界多套自製ALD 系統，並累積創新系統設計能力；近期更與國內在地設備商合作開發「12 吋叢集式 ALD 設備」，成功取得國際大廠多台設備的正式訂單。

此外，國研院儀科中心已開發出國內第一部自製先進原子層磊晶蝕刻（ALE）設備，並經由國研院半導體中心之製程平台製作出 E-mode 氮化鎵（GaN）元件，成功測得電性並通過各項驗證測試。自製原子層磊晶蝕刻設備之元件模組技術驗證成果，以及多樣態曝光機客製化光學元件展品於「SEMICON Taiwan 台灣國際半導體展」現場展示，落實蔡總統所提半導體設備及關鍵零組件自主化目標。

在 COVID-19 疫情影響下，各產業規模衰退，半導體產業目前受疫情衝擊雖較其他產業輕微，但真正的挑戰將落在全球經濟活動驟減、需求萎縮後；加上中美貿易戰顯現生產設備左右了製造生產的自主性，更影響了整體生產供應鏈的經濟活動。國研院期望透過本次展覽及發表會交流，展示出臺灣自主研發半導體設備之能量，吸引更多業界人士投入儀器設備產業，扭轉現今多為代工的半導體產業分佈，厚植及深根本土基礎儀器技術，以迎接後疫情半導體設備自主化時代來臨。