意法半導體（STMicroelectronics；ST）與Carnot STAR （研究應用科技）協會成員，法國普羅旺斯材料、微電子和奈米電子研究院 （包括IM2NP – CNRS／艾克斯－馬賽大學／土倫大學／ISEN高等電子與數字技術學院）正式啟用其新設立的聯合實驗室。雙方有著多年密切的合作經驗，希望能憑藉多項成功聯合研發專案，開發下一代高可靠性超微（Ultra-miniaturized）電子元件。

意法半導體與法國普羅旺斯材料、微電子和奈米電子研究院設立新聯合實驗室開發新一代高可靠性超微電子元件。

輻射效應與電氣可靠性（Radiation Effects and Electrical Reliability ，REER）聯合實驗室是一個跨區域的研究機構，彙集馬賽、土倫兩個城市的IM2NP研究人員及位於格勒諾布爾（Grenoble）附近的意法半導體Crolles實驗室技術專業人員。

REER聯合實驗室的科學專案分為兩個主要研究領域：輻射對奈米級數位電路的影響，及奈米級CMOS（Complementary Metal-oxide Semiconductor，互補性氧化金屬半導體）技術的電氣可靠性。這兩個研究方向對於意法半導體及其能否研發可靠性極高的整合電路至關重要。汽車、網路、醫療、航空及保全等應用均對整合電路的可靠性有非常高的要求。

在這些應用領域中，電子元件具有一些的先天限制（包括電場、機械應力、溫度等）和特定環境限制（特別是自然或人造輻射源的粒子輻射），是現今整合電路及下一代整合電路面臨的嚴峻挑戰。

為預測並減弱輻射效應，半導體工業需要對這些現象進行特性描述、建模及模擬，而如何有效降低輻射效應是新聯合實驗室的主要研究目標之一。

此外，開發下一代奈米電子技術必須逐一解決諸多的挑戰及難題，設計人員必須更清楚地了解在整合電路製程中，每一個步驟可能會面臨的問題。聯合實驗室的研究範圍從原子級最重要的現象，到系統、材料、晶片物理性質以及抗輻射電路設計。

這些研發專案以最先進的微電子技術為主要研發專案，例如28奈米及以下的技術節點，特別是意法半導體在Crolles所開發的FD-SOI（完全耗盡型絕緣矽）製程，這讓意法半導體成為全球首見開發出最具創新性及指標性的奈米級整合電路。

在啟用不久後，聯合實驗室便受邀參加法國企業總局（Directorate for Enterprises，DGE）、法國國防採購局（French defense procurement agency, DGA）所主導的ENIAC行動與支援計劃的歐洲CATRENE集群計畫（European CATRENE cluster），參與多項法國國家級、歐洲和國際合作計劃專案。今後五年，聯合實驗室預計將安排博士級研究人員，在法國政府工業研究培訓協議（industrial agreement for training through research, CIFRE）計劃資助的國家與民間企業的合作研究活動。（編輯部陳復霞整理）