東芝公司（Toshiba）半導體與儲存產品公司研發新一代TarfSOI（東芝先進的射頻絕緣矽（SOI））製程—TaRF8，該製程針對射頻（RF）開關應用進行最佳化，實現低插入損耗。採用新製程製造的SP12T射頻開關IC適用於智慧型手機，樣品出貨將於2016年1月啟動。

採用新一代TaRF8製程製造的樣品將於1月開始提供。

SP12T為一款用於行動應用的傳輸射頻開關IC，其搭載整合式MIPI-RFFE控制器，適用於3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE 和LTE-Advanced[5]標準。採用東芝新一代製程—東芝擁有專利的、針對射頻開關進行了最佳化的SOI-CMOS TarfSOI前端製程—TaRF8製造的產品實現了業界最低插入損耗（0.32db/2.7GHz）。與使用東芝當前TaRF6製程製造的產品相比，其插入損耗提高0.1dB，同時保持相同水準的失真特性。

隨著行動通訊趨向於高速率、大容量資料傳輸，智慧型手機等行動裝置所使用的射頻開關IC需要多埠支援和更高的射頻性能。在這一點上，降低插入損耗是一個尤為重要的因素，因為它降低射頻傳輸功率損耗，可支援行動裝置具備更長的電池續航時間。

東芝正在研發利用其內部晶圓廠應用SOI-CMOS技術的高性能射頻開關IC，SOI-CMOS技術適合於整合式類比和數位電路。透過處理該生產流程的所有方面，從射頻製程技術開發到射頻開關晶片的設計和製造，東芝可以根據其自己的射頻開關IC產品的研發結果回饋迅速改進SOI-CMOS製程技術。這種整合元件製造商（IDM）模式讓東芝能夠快速建立適合於實際產品的新製程技術，並在市場上推出採用最新製程技術製造的產品。東芝將繼續提高其TarfSOI製程技術的性能，並推出產品，努力滿足客戶和市場對射頻開關IC的需求。（編輯部陳復霞整理）