意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台。

博格華納採用意法半導體碳化矽技術，為Volvo下一代電動汽車設計Viper功率模組

Volvo營運長暨副執行長Javier Varela表示：「此次合作將讓我們有機會進一步提升Volvo電動汽車的市場關注度，讓我們的電動汽車具有更長的續航里程和更快的充電速度。此次合作還將促進我們在2030 年前達成全部車款電動化的目標，並提升產業鏈垂直整合度，同時加強我們對於關鍵零部件的控制權。」

博格華納副總裁暨動力總成系統部總裁、總經理Stefan Demmerle則表示：「博格華納很高興與意法半導體合作，為我們長期客戶Volvo的下一代電動汽車平台提供逆變器。」

兩家公司合作可以形成規模製造能力，滿足電動汽車市場快速成長的需求。為了充分利用意法半導體SiC MOSFET晶片的性能，博格華納與意法半導體的技術團隊密切合作，致力讓意法半導體的晶片與博格華納的Viper功率開關完美配對，以最大限度地提升逆變器的性能，並實現小型化和成本效益的架構。

意法半導體汽車和離散元件產品部總裁Marco Monti表示：「我們與全球先進汽車電動化供應商博格華納的合作將讓Volvo能夠為客戶提供卓越的車輛性能和續航里程。我們決定擴大SiC產能，並擴大SiC 的供應，包括供應鏈垂直整合，我們的擴產目的將支援全球汽車和工業客戶朝向電氣化和高效能轉型。」

意法半導體在義大利和新加坡兩個工廠量產STPOWER SiC碳化矽功率晶片，並在摩洛哥和中國的封測廠進行先進的封裝測試。2022年10月，意法半導體宣布擴大寬能隙產品產能，在卡塔尼亞新建一座綜合性SiC基板製造廠。新廠選址卡塔尼亞的原因是卡塔尼亞為公司功率半導體技術中心，亦是碳化矽的研發和製造基地。