明導國際 (Mentor Graphics) 日前宣佈，該公司已大幅加強CalibreO系列的解析度強化技術(RET)工具，確保Calibre解析度強化技術的建模精準度 (modeling accuracy) 有效滿足未來三個技術節點需求。這些加強功能大幅改善次100奈米解析度強化技術的建模精準度，若想透過提高晶片良率和縮短從設計到晶片製造的所須時間 (time-to-silicon) 來增加客戶獲利能力，它們就是不可或缺的要件，特別是對於要求嚴格的65奈米和更先進製程。

明導國際表示，為協助IC製造商處理次波長大小的電路結構，負責將電路圖形轉印至晶片表面的複雜微影系統必須滿足嚴格要求；在次100奈米領域，製程適用範圍 (process window，可製造良好晶片的製程參數範圍) 會大幅縮小，解析度強化技術的建模精準度也變得更加重要。進入次100奈米世代後，重要IC電路結構的大小只有曝光設備波長的三分之一，此時要確保圖案轉印的傳真度，使它不受轉印過程失真的影響，微影系統就必須提供精準的解析度強化技術建模能力。

執行全晶片解析度強化作業之前，必須先完成重要模型校準和模型建立等多個步驟。在模型設定過程裏，使用者必須輸入許多重要參數，例如測試圖案晶片量測值、曝光波長、數值孔徑 (NA)、標準差 (sigma) 以及照明模式 (illumination pattern)。今天宣佈推出的功能加強包括Calibre VT5 (Variable Threshold - version 5) 以及TCCcalc (向量式薄膜光學計算)，它們是對Calibre RET的晶片建模和光學製程修正 (OPC) 技術基礎所做的重要改進。實際應用時，首先讓新TCCcalc光學模型配適 (fitted) 所給的數據，光阻和蝕刻效應則由新推出的VT5模型來處理，然後透過晶片比對來驗證模型的預測能力，再把結果交給VT5使用，並搭配其它整批作業的全晶片解析度加強軟體，即可用於生產製造。

重要的建模技術

VT5和TCCcalc是超過18個月的工程努力結果，目前正在世界主要的95和65奈米研發實驗室接受戶測試 (beta test)，包括極高數值孔徑的光圈效果支援以及多重曝光解析度加強方法 (multi-exposure RET) 和不規則形狀的光阻／蝕刻效果。此外，Calibre RET工具也增加其它數種更強大的深次微米功能，包括特殊照明支援和影像最佳化演算法，當它們搭配VT5和TCCcalc時，即可在未來十年提供世界水準的解析度強化技術精準度。

AMD的Chris Spence表示，自從Mentor於1999年推出Calibre RET產品開始，他們就在使用這些工具。結合強大的階層式設計規則檢查 (DRC) 軟體和以實體為基礎的光學製程修正模型，使他們得以發展最佳化而精準的解決方案，滿足他們對於光學製程修正的要求。VT5和TCCcalc還能進一步提高光學製程修正的精準度，支援他們的90奈米量產以及65奈米研發工作。

Mentor Graphics設計及製造部門總經理Joseph Sawicki表示，全世界最大的25家半導體公司中，已有19家採用Calibre工具，這是因為Mentor不斷提供業界最好的效能、處理容量和良率加強。透過對於解析度強化技術的改進，再加上Mentor已開始提供從設計到製造的單一流程，使得Calibre成為目前市場上最快速、精確而完整的實體驗證和次波長製造解決方案。