半導體晶圓廠格羅方德發表全新的12nm FD-SOI半導體工藝平台12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能係統而設計。

格羅方德發表半導體工藝平台12FDXTM，提供全節點縮放和超低功耗，並通過軟件控制實現按需定制性能

隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用於實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，這不斷驅動著對超低功耗的需求，格羅方德半導體全新的12FDX工藝正是專為實現這前所未有的系統集成度、設計靈活性和功耗調節而設計。

12FDX為系統集成樹立了全新標準，提供了一個將射頻（RF）、模擬、嵌入式存儲和高級邏輯整合到一個芯片的優化平台。此外，該工藝還通過軟件控制晶體管實現按需提供峰值性能，同時平衡靜態和動態功耗以取得頂級能效，實現業內最廣泛的動態電壓調節和無與倫比的設計靈活性。

格羅方德半導體首席執行官Sanjay Jha表示，某些應用需要FinFET晶體管的高級性能，但大多數聯網設備需要在性能和功耗之間實現更高的集成度和靈活性，同時還要求低於FinFET的成本。

格羅方德的22FDX和12FDX工藝為打造下一代智能系統提供了一條新路徑，填補了行業路線圖的空白。格羅方德的FDX平台可大幅降低設計成本，重新打開了先進節點遷移的大門，並促進生態系統內的進一步創新。

格羅方德半導體全新的12FDX工藝基於一個12nm全耗盡平面晶體管（FD-SOI）平台，能夠以低於16nm FinFET的功耗和成本提供等同於10nm FinFET的性能。該平台支持全節點縮放，性能比現有FinFET工藝提升了15%，功耗降低了50%。

林利集團的創始人兼首席分析師Linley Gwennap則評價，芯片製造已經不再是將某一個微縮工藝用於一切產品。雖然FinFET是最高性能產品的首選技術，但對於許多成本敏感型的移動和物聯網產品來說，其要求以盡可能低的功耗提供仍然足夠的時鐘速度，行業路線圖並不夠清晰。格羅方德半導體的22FDX和12FDX技術定位恰到好處，填補了這一空缺，為先進節點設計提供了另一個替代遷移路徑，尤其是針對那些希望降低功耗卻不增加量產成本的設計。格羅方德半導體現在是22nm及以下節點FD-SOI的唯一提供者，在業內擁有明確的差異化特徵。

IBS, Inc創始人兼CEO Handel Jones也表示，FD-SOI技術能夠為那些需要差異化設計的廠商實現功耗、性能和成本之間的實時權衡。格羅方德推出全新12FDX，提供了業內首個FD-SOI路線圖，為先進節點設計提供了一條最低成本的遷移路徑，有助於實現未來的智能客戶端、5G、AV/VR和汽車市場互聯繫統。

目前，格羅方德位於德國德累斯頓的正在全力準備進行12FDX平台的研發活動和後續生產，客戶流片預計將於2019年上半年啟動。

恩智浦半導體i.MX應用處理器產品線副總裁Ron Martino也指出，恩智浦半導體公司的下一代多媒體應用處理器正在使用FD-SOI的優勢，以奠定其在汽車、工業和消費應用中提供超低功耗和按需調整性能的領先地位。

格羅方德半導體的12FDX技術將FD-SOI拓展到了下一個節點，是對這個行業一個極大的補充。其將會進一步擴大平面結構器件提供更低風險、更廣泛動態範圍以及更具競爭力性價比的能力，從而實現未來的智能聯網安全系統。

芯原股份有限公司總裁兼首席執行官戴偉民表示，公司利用其平台化芯片設計服務（SiPaaS）和為片上系統提供一流IP和設計服務的經驗，成為FD-SOI設計的先行者之一。FD-SOI技術的獨特優勢為公司在汽車、物聯網、移動連接和消費電子市場細分領域具備了差異化特徵。芯原期待擴大和格羅方德半導體的合作，利用其12FDX向中國市場的客戶提供高質量、低功耗和經濟高效的解決方案。

法國原子能中心科研所（CEA Tech）下屬研究機構CEA-LETI首席執行官Marie Semeria指出，12FDX的發展將在功耗、性能和智能調節方面實現另一個突破，因為12nm能夠實現最佳的雙重曝光，而且能夠以最低的製程複雜度提供最好的系統性能和功耗。LETI團隊和格羅方德半導體在美國和德國為了FD-SOI技術的擴展路線圖相互協作，取得了這個可喜的成果，其將成為實現聯網設備的片上系統完全集成的最佳平台。

Soitec的首席執行官Paul Boudre則說，非常高興看到22FDX擁有強大的發展動力，擁有非常堅定的無晶圓廠商客戶採用者。格羅方德12FDX技術將進一步擴大FD-SOI的市場普及。Soitec已經做好充分的準備來支持格羅方德半導體，為其提供高產量、高質量的22nm至12nm的FD-SOI襯底。這是一個驚人的機會，為新的移動和連接應用發展提供了及時的巨大動力。